[发明专利]半导体封装结构

说明书

本申请公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括封装框架，封装框架上设置有载片台，载片台上设置有芯片模组，芯片模组包括第一芯片、第二芯片和支撑架。该支撑架包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面的一侧与载片台连接，第一表面的另一侧悬空，与载片台形成收纳空间；第一芯片设置于支撑架的第二表面上；第二芯片设置于载片台上，部分第二芯片位于收纳空间内。本方案可以减小芯片的封装面积。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装结构。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是一种MOS场效应晶体管和双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它既有MOSFET易于驱动，控制简单的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，已成为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一，广泛地应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航空航天等国民经济的各个领域。IGBT的应用对电力电子系统性能的提升起到了极为重要的作用。

由于IGBT没有反向导通的能力，目前市面上的IGBT都是通过与快速恢复二极管(Fast Recovery Diode，FRD)并联封装在一起使用，以实现续流的能力。但是，对于电流超过75A的芯片，由于芯片面积较大，可能会导致IGBT和FRD无法封装到面积有限的封装框架中。

发明内容

本申请提供了一种半导体封装结构，可以减小芯片的封装面积。

本申请提供了一种半导体封装结构，包括：

载片台；

支撑架，所述支撑架包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面的一侧与所述载片台连接，所述第一表面的另一侧悬空，与所述载片台形成收纳空间；

第一芯片，所述第一芯片设置于所述支撑架的第二表面上；

第二芯片，所述第二芯片设置于所述载片台上，部分所述第二芯片位于所述收纳空间内。

在本申请提供的半导体封装结构中，所述支撑架悬空一侧的厚度小于另一侧的厚度。

在本申请提供的半导体封装结构中，所述支撑架悬空一侧的厚度为0.5mm～1mm，另一侧的厚度为1mm～2mm。

在本申请提供的半导体封装结构中，所述第一芯片为IGBT芯片，所述第二芯片为FRD芯片；或，所述第一芯片为FRD芯片，所述第二芯片为IGBT芯片。

在本申请提供的半导体封装结构中，还包括栅极焊盘和源极焊盘，所述栅极焊盘通过栅极引线与所述IGBT芯片的栅极压焊点电连接，所述源极焊盘通过第一源极引线与所述IGBT芯片的源极压焊点连接。

在本申请提供的半导体封装结构中，还包括栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，所述栅极引脚与所述栅极焊盘连接，所述漏极引脚与所述IGBT芯片的漏极连接，所述源极引脚与所述源极焊盘连接。

在本申请提供的半导体封装结构中，所述FRD芯片包括相对设置的阳极面和阴极面，所述FRD芯片的阳极面背向所述载片台，所述FRD芯片的阳极面通过第二源极引线与所述源极焊盘连接。

在本申请提供的半导体封装结构中，所述第二芯片的表面设置有绝缘层，所述第二芯片通过所述绝缘层与所述支撑架绝缘。

在本申请提供的半导体封装结构中，所述第一芯片与所述支撑架之间具有间隔。

在本申请提供的半导体封装结构中，所述间隔为0.3mm～1mm。