[发明专利]基于ARM cortex-M内核的存储器检测方法在审
申请号: | 202211719676.7 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN115981942A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 李文军;丰新龙;宣晓刚 | 申请(专利权)人: | 太原航空仪表有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22;G11C29/04 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 白瑶君 |
地址: | 030006 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 arm cortex 内核 存储器 检测 方法 | ||
1.一种基于ARM cortex-M内核的存储器检测方法,其特征在于,包括:
采用符合ARM汇编指令集的编码规范进行编码,使用汇编代码作为算法检测的框架,并使用存储器业界通用检测算法,能够在上电并配置完毕系统主频时钟后执行检测。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用符合ARM汇编指令集的编码规范进行编码,使用汇编代码作为算法检测的框架,并使用存储器业界通用检测算法,能够在上电并配置完毕系统主频时钟后执行检测,包括:
获取SRAM第一次自检的结果;
依据第一次自检的结果,判断上电启动是冷启动还是热启动;
若是冷启动,获取存储SRAM自检结果的地址偏移量;
若地址偏移量小于或等于预设值,则获取SRAM自检结果的存储区域的起始地址和区域大小;
获取起始堆栈指针;
对起始堆栈指针之后的SRAM空间进行自检;
若第二次自检通过,则备份全部栈数据,向前移动堆栈指针;
对起始堆栈指针之前的SRAM空间进行自检;
若第三次自检通过,则还原全部栈数据,存储三次自检结果。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
若是热启动,或地址偏移量大于预设值,则结束整个流程。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
若第二次自检未通过,则存储第二次自检错误现场相关信息。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
若第三次自检未通过,则存储第三次自检错误现场相关信息,并还原全部栈数据。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,预设值为16个字节。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当前将要备份全部栈数据的长度=起始堆栈指针-当前SP指针。
8.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当前SP指针=当前SP指针+0x200。
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