[发明专利]基于ARM cortex-M内核的存储器检测方法在审

专利信息
申请号: 202211719676.7 申请日: 2022-12-30
公开(公告)号: CN115981942A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 李文军;丰新龙;宣晓刚 申请(专利权)人: 太原航空仪表有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22;G11C29/04
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 白瑶君
地址: 030006 山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 基于 arm cortex 内核 存储器 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种基于ARM cortex-M内核的存储器检测方法,其特征在于,包括:

采用符合ARM汇编指令集的编码规范进行编码,使用汇编代码作为算法检测的框架,并使用存储器业界通用检测算法,能够在上电并配置完毕系统主频时钟后执行检测。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用符合ARM汇编指令集的编码规范进行编码,使用汇编代码作为算法检测的框架,并使用存储器业界通用检测算法,能够在上电并配置完毕系统主频时钟后执行检测,包括:

获取SRAM第一次自检的结果;

依据第一次自检的结果,判断上电启动是冷启动还是热启动;

若是冷启动,获取存储SRAM自检结果的地址偏移量;

若地址偏移量小于或等于预设值,则获取SRAM自检结果的存储区域的起始地址和区域大小;

获取起始堆栈指针;

对起始堆栈指针之后的SRAM空间进行自检;

若第二次自检通过,则备份全部栈数据,向前移动堆栈指针;

对起始堆栈指针之前的SRAM空间进行自检;

若第三次自检通过,则还原全部栈数据,存储三次自检结果。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

若是热启动,或地址偏移量大于预设值,则结束整个流程。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

若第二次自检未通过,则存储第二次自检错误现场相关信息。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

若第三次自检未通过,则存储第三次自检错误现场相关信息,并还原全部栈数据。

6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,预设值为16个字节。

7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当前将要备份全部栈数据的长度=起始堆栈指针-当前SP指针。

8.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当前SP指针=当前SP指针+0x200。

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