[发明专利]基于ARM cortex-M内核的存储器检测方法

说明书

本发明属于存储器领域，涉及基于ARM cortex‑M内核的存储器检测方法。该方法包括：采用符合ARM汇编指令集的编码规范进行编码，使用汇编代码作为算法检测的框架，并使用存储器业界通用检测算法，能够在上电并配置完毕系统主频时钟后执行检测。

技术领域

本发明属于存储器领域，涉及基于ARM cortex-M内核的存储器检测方法。

背景技术

现有的基于ARM cortex-M内核的MCU(包括但不限于GD32F4系列、STM32系列)的片内SRAM自检测一般采用固定地址的整数浮点数的读写、加减乘除、移位等操作进行自检测。

缺点：只能固定地址检测，自检测不能覆盖全部SRAM存储空间(包括堆栈空间)，没有采用存储器行业内常用的检测算法(如MarchC算法)，不能对所有SRAM空间做初始化赋零值的操作，不能有效检测SRAM存储器的故障异常位置，故障率识别率极低。

发明内容

发明目的：解决对ARM cortex-M内核的MCU(包括但不限于GD32F4系列、STM32系列)的片内SRAM的全部SRAM空间(包括所有堆栈空间)进行快速有效的自检测。

技术方案：

一种基于ARM cortex-M内核的存储器检测方法，包括：

采用符合ARM汇编指令集的编码规范进行编码，使用汇编代码作为算法检测的框架，并使用存储器业界通用检测算法，能够在上电并配置完毕系统主频时钟后执行检测。

所述采用符合ARM汇编指令集的编码规范进行编码，使用汇编代码作为算法检测的框架，并使用存储器业界通用检测算法，能够在上电并配置完毕系统主频时钟后执行检测，包括：

获取SRAM第一次自检的结果；

依据第一次自检的结果，判断上电启动是冷启动还是热启动；

若是冷启动，获取存储SRAM自检结果的地址偏移量；

若地址偏移量小于或等于预设值，则获取SRAM自检结果的存储区域的起始地址和区域大小；

获取起始堆栈指针；

对起始堆栈指针之后的SRAM空间进行自检；

若第二次自检通过，则备份全部栈数据，向前移动堆栈指针；

对起始堆栈指针之前的SRAM空间进行自检；

若第三次自检通过，则还原全部栈数据，存储三次自检结果。

所述方法还包括：

若是热启动，或地址偏移量大于预设值，则结束整个流程。

所述方法还包括：

若第二次自检未通过，则存储第二次自检错误现场相关信息。

所述方法还包括：

若第三次自检未通过，则存储第三次自检错误现场相关信息，并还原全部栈数据。

预设值为16个字节。

当前将要备份全部栈数据的长度＝起始堆栈指针-当前SP指针。

当前SP指针＝当前SP指针+0x200。

有益效果：对所有的SRAM空间进行自检测，包括软件所用所有堆栈空间，能有效检测SRAM存储器的故障异常位置，故障率识别率很高，保证自检测完成后所有SRAM空间均赋零值，同时具备检测MCU冷热启动的功能，自检测时间短(通常不超过几十毫秒)，只需经过简单修改配置即可适用于全系类ARM cortex-M内核的MCU的片内SRAM自检测。

附图说明