[发明专利]一种发光二极管及制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面为入光面，所述第二表面为出光面；

生长在所述第一表面的发光结构层，所述发光结构层为所述衬底提供入射光；

第一反射层，生长在所述发光结构层上；

金属调光膜，生长在所述第二表面，用于调节光线的出射方向，且与所述第一反射层组成双面反射结构。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述金属调光膜为金属复合层结构。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，

所述金属复合层结构包括依次生成的附着层和结构层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，

所述附着层为Cr、Al、Ti、Ni中的一种，厚度为0.5-5nm。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，

所述结构层为Al、Ag、Pt、Au、Cu中的一种或者多种金属叠层，厚度为2-100nm。

6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，

所述金属复合层结构还包括保护层，所述保护层生长在所述结构层上，所述保护层为氧化物钝化层，厚度为2-1000nm；

所述保护层为SiO₂或Si₃N₄。

7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，

所述金属复合层结构还包括保护层，所述保护层生长在所述结构层上，所述保护层为金属层，厚度为2-50nm；

所述保护层为Au或Pt。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述金属调光膜为金属单层结构，所述金属单层结构的厚度为10-1000nm；

所述金属单层结构为Al、Ag、Pt、Au、Cu中的一种。

9.根据权利要求2或8所述的发光二极管，其特征在于，

所述发光结构层包括依次生长在第一表面的N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，

所述发光二极管还包括：第二反射层、电流阻挡层、导电层、P型电极和N型电极；

所述第二反射层设置在所述金属调光膜与所述衬底之间，所述第二反射层为单层氧化物，厚度为5-1000nm，所述第二反射层为SiO₂或MgF₂；

所述电流阻挡层和所述导电层设置在所述P型GaN层上，且所述导电层覆盖所述电流阻挡层；

所述P型电极和所述N型电极设置在所述第一反射层上。

10.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一层衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面为入光面，所述第二表面为出光面；

在所述第一表面生长发光结构层，所述发光结构层为所述衬底提供入射光；

在所述发光结构层上生长第一反射层；

在所述第二表面生长金属调光膜，所述金属调光膜用于调节光线的出射方向，且与所述第一反射层组成双面反射结构。