[发明专利]一种发光二极管及制备方法

说明书

本申请提供一种发光二极管及制备方法，发光二极管包括衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面为入光面，第二表面为出光面；生长在第一表面的发光结构层，发光结构层为衬底提供入射光；第一反射层，生长在发光结构层上；金属调光膜，生长在第二表面，用于调节光线的出射方向，且与第一反射层组成双面反射结构。通过设置金属调光膜，金属调光膜生长在衬底的上表面，从而提高了发光二极管的侧向光的光照强度，使得发光二极管不仅能够实现轴向出光，还能够实现较好的侧向出光，进而实现发光二极管的大广角发光。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛地应用于显示器和照明。

随着显示应用的发展，大广角芯片成为数码、面板显示的热点。现有的大发光角发光二极管，为控制芯片的发光角度，在芯片出光面增加分布式布拉格反射镜(distributedBragg reflection，DBR)调光膜层，控制芯片轴向光和侧向光的比例。

为实现轴向光和侧向光的比例达到目标需求，需要让DBR调光膜的反射率在芯片发光主波长附近产生较大落差。以蓝光450nm发光芯片为例，芯片的发光光谱分布在425nm-500nm，DBR调光膜的反射率在475-500nm附近产生骤降,反射率从475nm的91％下降到500nm的36％，导致调整膜的反射波形波动，影响芯片发光角度一致性不稳定，无法实现大广角发光，发光效果不好。

发明内容

本申请提供了一种发光二极管及制备方法，以解决发光二极管大广角发光效果不好的问题。

本申请第一方面提供的发光二极管，包括衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面为入光面，所述第二表面为出光面；

生长在所述第一表面的发光结构层，所述发光结构层为所述衬底提供入射光；

第一反射层，生长在所述发光结构层上；

金属调光膜，生长在所述第二表面，用于调节光线的出射方向，且与所述第一反射层组成双面反射结构。

在一种可实现的方式中，所述金属调光膜为金属复合层结构。

在一种可实现的方式中，所述金属复合层结构包括依次生成的附着层和结构层。

在一种可实现的方式中，所述附着层为Cr、Al、Ti、Ni中的一种，厚度为0.5-5nm。

在一种可实现的方式中，所述结构层为Al、Ag、Pt、Au、Cu中的一种或者多种金属叠层，厚度为2-100nm。

在一种可实现的方式中，所述金属复合层结构还包括保护层，所述保护层生长在所述结构层上，所述保护层为氧化物钝化层，厚度为2-1000nm；

所述保护层为SiO₂或Si₃N₄。

在一种可实现的方式中，所述金属复合层结构还包括保护层，所述保护层生长在所述结构层上，所述保护层为金属层，厚度为2-50nm；

所述保护层为Au或Pt。

在一种可实现的方式中，所述金属调光膜为金属单层结构，所述金属单层结构的厚度为10-1000nm。