[发明专利]一种阵列式LED器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202211721027.0 申请日: 2022-12-30
公开(公告)号: CN116314158A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 温绍飞;万垂铭;朱文敏;林仕强;曾照明;肖国伟 申请(专利权)人: 广东晶科电子股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 罗毅萍;李小林
地址: 511458 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 led 器件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种阵列式LED器件,其特征在于:包括基板、阵列式排列设置在所述基板上方的若干芯片、覆盖在所述芯片上方的荧光层、围设在所述荧光层外壁的黑边层和填充层,所述荧光层与所述黑边层构成发光元素,所述芯片与所述发光元素构成独立的发光单元,若干所述发光单元矩阵排列设置在所述基板上,每一独立的所述发光单元间隙中设置填充材料形成所述填充层;

所述荧光层设有进光口和出光口,所述出光口面积小于进光口面积,所述黑边层上端面与所述出光口的出光面积相等。

2.根据权利要求1所述的阵列式LED器件,其特征在于:每一所述发光单元的像素间距为25μm~500μm。

3.根据权利要求1所述的阵列式LED器件,其特征在于:所述荧光层还包括与所述黑边层相适配的斜面,所述进光口与所述芯片固定连接。

4.根据权利要求1所述的阵列式LED器件,其特征在于:所述荧光层为台梯形体玻璃结构。

5.根据权利要求1所述的阵列式LED器件,其特征在于:所述黑边层为倒直角三角结构。

6.根据权利要求1所述的阵列式LED器件,其特征在于:所述发光单元与所述填充层的高度齐平。

7.根据权利要求1所述的阵列式LED器件,其特征在于:所述填充材料为透明硅胶。

8.根据权利要求1所述的阵列式LED器件,其特征在于:所述黑边层为通过激光束高温灼烧荧光层残留的黑色物质。

9.一种阵列式LED器件的制作方法,其特征在于,适用于权利要求1-9中任一项所述的阵列式LED器件,包括以下步骤:

S1、使用激光束对荧光层进行处理,在荧光层的表面制作黑边层;

S2、对荧光层进行切割,获得单颗的发光元素;

S3、将若干芯片阵列式焊接在基板上后,将发光元素覆盖在芯片上方形成发光单元;

S4、在发光单元间隙处填充填充材料形成填充层,得到阵列式LED器件;

S5、同时点亮一定数量的发光元素,与无黑边层包裹的普通阵列式LED器件进行比对出光效率。

10.根据权利要求9所述的阵列式LED器件的制作方法,其特征在于:在步骤S4中,在基板四周围设模板,通过点胶的方式对发光单元之间的间隙进行填充,待填充层冷却凝固形成填充层。

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