[发明专利]一种阵列式LED器件及其制作方法在审
申请号: | 202211721027.0 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN116314158A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 温绍飞;万垂铭;朱文敏;林仕强;曾照明;肖国伟 | 申请(专利权)人: | 广东晶科电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍;李小林 |
地址: | 511458 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 led 器件 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种阵列式LED器件及其制作方法,包括基板、阵列式排列设置在基板上方的若干芯片、覆盖在芯片上方的荧光层、围设在荧光层外壁的黑边层和填充层,荧光层与黑边层构成发光元素,芯片与发光元素构成独立的发光单元,若干发光单元矩阵排列设置在基板上,每一独立的发光单元间隙中设置填充材料形成填充层;荧光层设有进光口和出光口,出光口面积小于进光口面积,黑边层上端面与出光口的出光面积相等。本发明的阵列式LED器件及其制作方法中,LED器件具有像素清晰、对比度高的优点。
技术领域
本发明属于LED器件技术领域,具体涉及一种阵列式LED器件及其制作方法。
背景技术
随着阵列式集成LED的发展,如何获得高分辨率,高对比度特性的LED器件成为当下行业的研究趋势,更高分辨率意味着更小的像素间距,而间距越小,相邻发光元素的光串扰和光溢出现象就越明显,从而导致像素不清晰、对比度降低。
目前提高对比度的方法有在LED之间填充黑色遮光材料,由于黑色材料的吸光作用,最后封装亮度将会大幅度下降;或对发光层表面进行粗化处理,改变光线出射角度,虽然能减小发光角度,但并未完全阻隔侧壁光的干扰,效果并不理想。
因此,针对现有技术的不足提供一种阵列式LED器件及其制作方法。
发明内容
为解决现有技术中的上述问题,本发明提供了一种阵列式LED器件及其制作方法,旨在解决LED器件像素不清晰、对比度降低的问题。
本发明采用了以下技术方案:
一种阵列式LED器件,包括基板、阵列式排列设置在所述基板上方的若干芯片、覆盖在所述芯片上方的荧光层、围设在所述荧光层外壁的黑边层和填充层,所述荧光层与所述黑边层构成发光元素,所述芯片与所述发光元素构成独立的发光单元,若干所述发光单元矩阵排列设置在所述基板上,每一独立的所述发光单元间隙中设置填充材料形成所述填充层;
所述荧光层设有进光口和出光口,所述出光口面积小于进光口面积,所述黑边层上端面与所述出光口的出光面积相等。
作为本发明技术方案的进一步改进,每一所述发光单元的像素间距为25μm~500μm。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述荧光层还包括与所述黑边层相适配的斜面,所述进光口与所述芯片固定连接。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述荧光层为台梯形体玻璃结构。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述黑边层为倒直角三角结构。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述发光单元与所述填充层的高度齐平。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述填充材料为透明硅胶。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述黑边层为通过激光束高温灼烧荧光层残留的黑色物质。
一种阵列式LED器件及其制作方法,适用于上述的阵列式LED器件,包括以下步骤:
S1、使用激光束对荧光层进行处理,在荧光层的表面制作黑边层;
S2、对荧光层进行切割,获得单颗的发光元素;
S3、将若干芯片阵列式焊接在基板上后,将发光元素覆盖在芯片上方形成发光单元;
S4、在发光单元间隙处填充填充材料形成填充层,得到阵列式LED器件;
S5、同时点亮一定数量的发光元素,与无黑边层包裹的普通阵列式LED器件进行比对出光效率。
作为本发明技术方案的进一步改进,在步骤S4中,在基板四周围设模板,通过点胶的方式对发光单元之间的间隙进行填充,待填充层冷却凝固形成填充层。
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