[发明专利]发光二极管及发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：

第一半导体层，具有相对的上表面和下表面；

发光层，设置在所述第一半导体层的上表面；

第二半导体层，设置在所述发光层之上；

凹槽，自所述第一半导体层的上表面向所述第一半导体层的下表面延伸；

挡体结构，设置在贴近于所述凹槽处的所述第一半导体层之上；

其中，从所述发光二极管的上方朝向所述第一半导体层俯视，所述第一半导体层至少围绕所述凹槽的二个侧边，所述挡体结构与所述发光层彼此独立。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述第一半导体层俯视，所述挡体结构环绕设置于所述凹槽处。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一半导体层包括掺杂层和非掺杂层，所述掺杂层位于所述非掺杂层和所述发光层之间，所述凹槽贯穿所述掺杂层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述第一半导体层俯视，所述凹槽至少分布于所述第一半导体层的周缘处。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括衬底，所述衬底设置在所述第一半导体层的下表面，所述凹槽贯穿所述第一半导体层，以露出所述衬底。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述挡体结构包括第一挡体和第二挡体，所述第一挡体设置在所述第一半导体层之上，所述第二挡体设置在所述第一挡体之上，所述第一挡体的材质相同于所述发光层，所述第二挡体的材质相同于所述第二半导体层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述挡体结构还包括第三挡体，所述第三挡体位于所述第一半导体层和所述第一挡体之间，所述第三挡体的材质相同于所述第一半导体层。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述挡体结构的上表面与所述第二半导体层的上表面齐平。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括第一电极和第二电极，所述第一电极电连接所述第一半导体层，所述第二电极电连接所述第二半导体层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极包括指状电极，从所述发光二极管的上方朝向所述第一半导体层俯视，部分的所述凹槽分布于所述指状电极内。

11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极是分布式电极，部分的所述挡体结构与所述分布式电极存在重叠。

12.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述第一半导体层俯视，部分的所述挡体结构自所述第一半导体层的边缘向所述第一半导体层的中心延伸至凸出所述第一电极，所述挡体结构凸出所述第一电极的距离范围为0.1～30μm。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述第一半导体层俯视，部分的所述挡体结构自所述第一半导体层的边缘向所述第一半导体层的中心延伸至末端位于所述第一电极内，所述挡体结构的延伸末端到所述第一电极的距离范围为0.1～20μm。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述第一半导体层俯视，部分的所述挡体结构自所述第一半导体层的边缘向所述第一半导体层的中心延伸，所述挡体结构的侧壁到所述凹槽的距离范围为0.1～25μm。