[发明专利]发光二极管及发光装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、凹槽和挡体结构，第一半导体层具有相对的上表面和下表面，发光层设置在第一半导体层的上表面，第二半导体层设置在发光层之上，凹槽自第一半导体层的上表面向第一半导体层的下表面延伸，挡体结构设置在贴近于凹槽处的第一半导体层之上，其中，从发光二极管的上方朝向第一半导体层俯视，第一半导体层至少围绕凹槽的二个侧边，挡体结构与发光层彼此独立。借此，通过挡体结构的设置，既能够减少高低差，降低固晶空洞率，增加金属剥离时的接触点，便于金属剥离；还可以作为导光柱，起到反光效果，提升发光二极管的出光性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)为半导体发光元件，通常是由如GaN、GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成，其核心是具有发光特性的PN结。LED具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。LED已经广泛应用于照明、监控指挥、高清演播、高端影院、办公显示、会议交互、虚拟现实等领域。

近年来，紫外LED特别是深紫外LED的巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了新的研究热点。为了提升紫外LED的使用特性，目前导入了一系列新工艺，参考图1和图2所示，通过现有工艺制备的LED，其通过在边缘形成多个沟槽，来有效降低LED的操作电压，但与此同时，由于LED的边缘沟槽增多，也会导致后期封装使用等过程中，由于高低差H较大，导致固晶空洞率过高的风险问题。此外，在后期使用过程中，还会增加水汽渗入的风险。

需要说明的是，公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的一实施例提供一种发光二极管，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、凹槽和挡体结构。第一半导体层具有相对的上表面和下表面。发光层设置在第一半导体层的上表面。第二半导体层设置在发光层之上。凹槽自第一半导体层的上表面向第一半导体层的下表面延伸。挡体结构设置在贴近于凹槽处的第一半导体层之上。其中，从发光二极管的上方朝向第一半导体层俯视，第一半导体层至少围绕凹槽的二个侧边。挡体结构与发光层是彼此独立设置的。

本发明的一实施例还提供一种发光二极管，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、凹槽和挡体结构。第一半导体层具有相对的上表面和下表面。发光层设置在第一半导体层的上表面。第二半导体层设置在发光层之上。凹槽自第一半导体层的上表面向第一半导体层的下表面延伸。挡体结构设置在第一半导体层之上。其中，从发光二极管的上方朝向第一半导体层俯视，第一半导体层至少围绕凹槽的二个侧边，挡体结构与发光层彼此独立，挡体结构的数量是多个，相邻二个挡体结构之间存在凹槽，挡体结构和凹槽之间存在预设间距。

在一些实施例中，第一半导体层包括掺杂层和非掺杂层，掺杂层位于非掺杂层和发光层之间，凹槽贯穿掺杂层。

在一些实施例中，从发光二极管的上方朝向第一半导体层俯视，凹槽至少分布于第一半导体层的周缘处。

在一些实施例中，发光二极管还包括衬底，衬底设置在第一半导体层的下表面，凹槽贯穿第一半导体层，以露出衬底。

在一些实施例中，挡体结构包括第一挡体和第二挡体，第一挡体设置在第一半导体层之上，第二挡体设置在第一挡体之上，第一挡体的材质相同于发光层，第二挡体的材质相同于第二半导体层。

在一些实施例中，挡体结构还包括第三挡体，第三挡体位于第一半导体层和第一挡体之间，第三挡体的材质相同于第一半导体层。

在一些实施例中，挡体结构的上表面与第二半导体层的上表面齐平。