[发明专利]DRAM的测试方法、装置、可读取存储介质和电子设备

权利要求书

1.一种DRAM的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括对待测DRAM芯片进行写入和读取操作的步骤：

写入预设数据模型，并完成一次读取，得到第一次比对结果；

对所述预设数据模型取反后生成反向数据模型，并写入反向数据模型，完成一次读取，得到第二次比对结果；

根据所述第一比对结果和所述第二比对结果得到所述待测试的DRAM的测试结果；

其中，所述预设数据模型为01间隔型数据模型、01纵向条纹型数据模型、01横向条纹型数据模型或全0数据模型的其中一种或多种，当第一数据模型为多种时，则重复上述步骤以依次输入多种第一数据模型，得到多种比对结果。

2.根据权利要求1所述的DRAM的测试方法，其特征在于，所述对待测DRAM芯片进行写入和读取操作的步骤，之前包括：

接入待测DRAM芯片，获取存储空间大小；

根据存储空间大小，计算预设数据模型的数据长度，并生成对应数据长度的预设数据模型。

3.根据权利要求1所述的DRAM的测试方法，其特征在于，当所述预设数据模型为四种时，所述预设数据模型包括第一数据模型、第三数据模型、第五数据模型和第七数据模型；

所述对待测DRAM芯片进行写入和读取操作的步骤中，包括：

对待测DRAM芯片写入第一数据模型，并完成一次读取，得到第一比对结果；

对所述第一数据模型取反后生成第二数据模型，并写入第二数据模型，完成一次读取，得到第二比对结果；

写入第三数据模型，并完成一次读取，得到第三比对结果；

对所述第三数据模型取反后生成第四数据模型，并写入第四数据模型，完成一次读取，得到第四比对结果；

写入第五数据模型，并完成一次读取，得到第五比对结果；

对所述第五数据模型取反后生成第六数据模型，并写入第六数据模型，完成一次读取，得到第六比对结果；

写入第七数据模型，并完成一次读取，得到第七比对结果；

对所述第七数据模型取反后生成第八数据模型，并写入第八数据模型，完成一次读取，得到第八比对结果；

根据所述第一比对结果、第二比对结果、第三比对结果、第四比对结果、第五比对结果、第六比对结果、第七比对结果和第八比对结果得到所述待测试的DRAM的测试结果；

其中，第一数据模型、第三数据模型、第五数据模型和第七数据模型依次为01间隔型数据模型、01纵向条纹型数据模型、01横向条纹型数据模型或全0数据模型。

4.根据权利要求3所述的DRAM的测试方法，其特征在于，所述对待测DRAM芯片进行写入和读取操作的步骤，之前包括：

对接入待测DRAM芯片，获取存储空间大小；

根据存储空间大小，进行存储空间划分为大小相同的八个存储区域；

根据储存区域计算预设数据模型的数据长度，并生成对应数据长度的预设数据模型；

所述对待测DRAM芯片进行写入和读取操作的步骤，包括：

分别对八个存储区域输入第一数据模型、第二数据模型、第三数据模型、第四数据模型、第五数据模型、第六数据模型、第七数据模型和第八数据模型。

5.根据权利要求4所述的DRAM的测试方法，其特征在于，所述第一数据模型、第二数据模型、第三数据模型、第四数据模型、第五数据模型、第六数据模型、第七数据模型和第八数据模型分别同时写入至八个所述储存区域。

6.根据权利要求1所述的DRAM的测试方法，其特征在于，所述对待测DRAM芯片进行写入和读取操作的步骤，之前包括：

对接入待测DRAM芯片，获取存储空间大小；

根据存储空间大小，对存储空间选取预设数据长度的存储区域；

所述预设数据模型的数据长度与所述储存区域的预设数据长度相等；

所述对待测DRAM芯片进行写入和读取操作的步骤，包括对预设数据长度的存储区域进行写入和读取操作。

7.根据权利要求1所述的DRAM的测试方法，其特征在于，所述两次比对结果或多种比对结果均为比较结果一致，则测试结果为成功；否则，测试结果为失败。