[发明专利]改善电压异常的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底(10)、外延层(20)、电极(30)、钝化层(40)和焊点块(50)，所述外延层(20)位于所述衬底(10)上，所述电极(30)位于所述外延层(20)远离所述衬底(10)的表面，所述钝化层(40)位于所述外延层(20)远离所述衬底(10)的表面且覆盖部分所述电极(30)的表面；

所述电极(30)包括依次层叠于外延层(20)上的第一金属层(310)和第二金属层(320)，所述第一金属层(310)包括Au金属，所述第二金属层(320)不包括Au金属，所述钝化层(40)具有露出所述第二金属层(320)表面的通孔(41)，所述第二金属层(320)的表面具有沉孔(31)，所述通孔(41)与所述沉孔(31)连通；

所述焊点块(50)与所述钝化层(40)远离所述衬底(10)的表面贴合且依次通过所述通孔(41)、所述沉孔(31)与所述第二金属层(320)连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二金属层(320)包括依次层叠的第一Ti层(321)、Pt层(322)和第二Ti层(323)，所述沉孔(31)的底部位于所述Pt层(322)。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一Ti层(321)和所述第二Ti层(323)的厚度范围均为100埃至400埃，所述Pt层(322)的厚度范围为1000埃至3000埃。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一金属层(310)包括依次层叠的第一Au层(311)、AuGeNi合金层(312)和第二Au层(313)；或者，

所述第一金属层(310)包括依次层叠的第一Au层(311)、AuBe合金层(314)和第二Au层(313)。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一Au层(311)的厚度范围为100埃至400埃，所述第二Au层(313)的厚度范围为1000埃至4500埃；

所述AuGeNi合金层(312)的厚度范围为1000埃至3000埃，或者，所述AuBe合金层(314)的厚度范围为1000埃至2000埃。

6.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述钝化层(40)为Si_xN层，所述钝化层(40)的厚度范围为300nm至500nm。

7.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成外延层；

在所述外延层上形成电极，所述电极包括依次层叠于外延层上的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层包括Au金属，所述第二金属层不包括Au金属；

在所述外延层远离所述衬底的表面和所述电极的表面形成钝化层，并刻蚀所述钝化层和所述第二金属层，在所述钝化层的表面形成露出所述第二金属层的通孔，在所述第二金属层的表面形成沉孔，所述通孔与所述沉孔连通；

在所述钝化层远离所述衬底的表面制作焊点块，让所述焊点块依次通过所述通孔、所述沉孔与所述第二金属层连接。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述钝化层和所述第二金属层包括：

干法刻蚀所述钝化层和所述第二金属层，所述干法刻蚀时使用的干刻气体包括氧气。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述干刻气体包括四氟化碳、氧气和氩气，四氟化碳的体积百分比范围为50％至70％，氧气的体积百分比范围为10％至30％，氩气的体积百分比范围为5％至40％。

10.根据权利要求7至9任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀所述钝化层和所述第二金属层之后，所述方法还包括：

将制作过程中的所述发光二极管放入甩干机内，采用喷淋的方式对制作过程中的所述发光二极管进行清洗，并采用甩干的方式去除制作过程中的所述发光二极管上的水份。