[发明专利]改善电压异常的发光二极管及其制备方法

说明书

本公开提供了一种改善电压异常的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、电极、钝化层和焊点块，外延层位于衬底上，电极位于外延层远离衬底的表面，钝化层位于外延层远离衬底的表面且覆盖部分电极的表面；电极包括依次层叠于外延层上的第一金属层和第二金属层，第一金属层包括Au金属，第二金属层不包括Au金属，钝化层具有露出第二金属层表面的通孔，第二金属层的表面具有沉孔，通孔与沉孔连通；焊点块与钝化层远离衬底的表面贴合且依次通过通孔、沉孔与第二金属层连接。本公开实施例能改善焊点块与电极接触面上易形成高电压的问题，提升发光二极管的良率。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种改善电压异常的发光二极管及其制备方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

相关技术中，发光二极管通常包括衬底、外延层、电极、钝化层和焊点块，衬底、外延层和电极依次层叠，钝化层位于外延层的表面且覆盖电极，钝化层的表面具有通过刻蚀得到的露出电极的通孔，焊点块位于钝化层的表面且通过通孔与电极连接。

然而，由于电极位于钝化层的下方，在刻蚀钝化层以形成通孔的过程中，电极也容易被刻蚀，从而露出电极中的Au金属。在制作焊点块时，需经过钝化层去胶、焊点块光刻、打胶及冲水过程。电极中裸露的Au在这些制程中会吸附其它物质形成化合物，从而会在Au的表层形成轻微底膜，在通孔中蒸镀形成焊点块后，位于Au表层的底膜会影响焊点块与Au的接触，通电后焊点块与Au的接触面之间形成高电压，影响发光二极管的良率。

发明内容

本公开实施例提供了一种改善电压异常的发光二极管及其制备方法，能改善焊点块与电极接触面上易形成高电压的问题，提升发光二极管的良率。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：衬底、外延层、电极、钝化层和焊点块，所述外延层位于所述衬底上，所述电极位于所述外延层远离所述衬底的表面，所述钝化层位于所述外延层远离所述衬底的表面且覆盖部分所述电极的表面；所述电极包括依次层叠于外延层上的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层包括Au金属，所述第二金属层不包括Au金属，所述钝化层具有露出所述第二金属层表面的通孔，所述第二金属层的表面具有沉孔，所述通孔与所述沉孔连通；所述焊点块与所述钝化层远离所述衬底的表面贴合且依次通过所述通孔、所述沉孔与所述第二金属层连接。

可选地，所述第二金属层包括依次层叠的第一Ti层、Pt层和第二Ti层，所述沉孔的底部位于所述Pt层。

可选地，所述第一Ti层和所述第二Ti层的厚度范围均为100埃至400埃，所述Pt层的厚度范围为1000埃至3000埃。

可选地，所述第一金属层包括依次层叠的第一Au层、AuGeNi合金层和第二Au层；或者，所述第一金属层包括依次层叠的第一Au层、AuBe合金层和第二Au层。

可选地，所述第一Au层的厚度范围为100埃至400埃，所述第二Au层的厚度范围为1000埃至4500埃；所述AuGeNi合金层的厚度范围为1000埃至3000埃，或者，所述AuBe合金层的厚度范围为1000埃至2000埃。

可选地，所述钝化层为SixN层，所述钝化层的厚度范围为300nm至500nm。