[发明专利]色谱基线抑制装置和其制造方法

权利要求书

1.色谱基线抑制装置，所述色谱基线抑制装置包括容器和二个离子交换膜，二个离子交换膜将所述容器的内部分隔为第一部分、第二部分和第三部分，所述第二部分具有进口和出口；其特征在于，所述色谱基线抑制装置还包括：

二个电极，二个电极分别处于第一部分和第二部分内，所述电极包括基质多孔材料层和聚合物层，所述基质多孔材料层导电，并连接所述离子交换膜。

2.根据权利要求1所述的色谱基线抑制装置，其特征在于，所述基质多孔材料的粒径分布是200nm-400nm，孔径分布为10nm-50nm。

3.根据权利要求2所述的色谱基线抑制装置，其特征在于，所述基质多孔材料具有中空型多孔形态或多孔隙核-壳结构。

4.根据权利要求1所述的色谱基线抑制装置，其特征在于，在所述基质多孔材料上修饰聚合物，修饰具有离子交换的官能团。

5.根据权利要求4所述的色谱基线抑制装置，其特征在于，所述官能团是磺酸基或羧基。

6.根据权利要求1所述的色谱基线抑制装置，其特征在于，从所述进口到出口，所述聚合物层的厚度逐渐变小。

7.根据权利要求1所述的色谱基线抑制装置，其特征在于，从所述进口到所述出口，二个离子交换膜间的距离先变大，再变小。

8.色谱基线抑制装置的制造方法，所述制造方法包括电极的制造阶段，其特征在于，所述电极的制造阶段为：

基质多孔材料分别经过有机试剂和纯水超声清洗后并烘干；

旋转基质多孔材料，将合成的聚合物均匀滴定在基质多孔材料表面；同时，所述基质多孔材料倾斜设置，从而调整聚合物材料在基质多孔材料上的修饰厚度，使得从基座多孔材料的一侧到另一端，修饰厚度逐渐变小；

将离子交换膜贴在所述基质多孔材料上。

9.根据权利要求8所述的色谱基线抑制装置的制造方法，其特征在于，在滴定过程中，反应温度为30-40度，聚合物流出速度为0.25-0.4ml/min，出口和基质材料间的高度差为5-10cm。

10.根据权利要求8所述的色谱基线抑制装置的制造方法，其特征在于，倾斜设置的角度是45-60度，形成在基质多孔材料上的聚合物层的一侧厚度为5-10mm，另一侧的厚度是1-3mm。