[发明专利]色谱基线抑制装置和其制造方法

说明书

本发明提供了色谱基线抑制装置和其制造方法，所述色谱基线抑制装置包括容器和二个离子交换膜，二个离子交换膜将所述容器的内部分隔为第一部分、第二部分和第三部分，所述第二部分具有进口和出口；所述色谱基线抑制装置还包括：二个电极分别处于第一部分和第二部分内，所述电极包括基质多孔材料层和聚合物层，所述基质多孔材料层导电，并连接所述离子交换膜。本发明具有噪声小等优点。

技术领域

本发明涉及离子色谱，特别涉及色谱基线抑制装置和其制造方法。

背景技术

离子色谱自再生抑制装置是通过电解水产生H+和OH+离子，并通过离子交换膜，将淋洗液中的离子置换，经过对应抑制器的KOH或MSA淋洗液会转化为水，从而降低基线背景，同时样品经过抑制器的信号将会提升。常规的抑制器电极有两个电极室，其实包含铂电极和聚合物材料组成。当前技术方案具有以下问题：

1.抑制效率低。当前方案内部的电势场由流动相入口端到出口端降低，即入口溶液浓度高，电流密度大，出口溶液浓度低，电流密度小。电场不均一将导致抑制效率受限于膜交换能力。

2.电流效率低，热噪声难以控制。扁平片状的电极和膜直接存在一定的距离，导致电解室存在一定的电势差，进而造成电流效率降低，同时产热增加，噪声提高，仪器灵敏度下降。

3.反应效率低，铂片和水反应的接触面积有限。

4.电解水产生的气泡难以控制，造成较大的噪声，仪器灵敏度下降

5.重复性差，电解室的电极、树脂或筛网材料填充工艺多，每个个体间势必存在差异，无法保证一致性。

发明内容

为解决上述现有技术方案中的不足，本发明提供了一种色谱基线抑制装置。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

色谱基线抑制装置，所述色谱基线抑制装置包括容器和二个离子交换膜，二个离子交换膜将所述容器的内部分隔为第一部分、第二部分和第三部分，所述第二部分具有进口和出口；所述色谱基线抑制装置还包括：

二个电极，二个电极分别处于第一部分和第二部分内，所述电极包括基质多孔材料层和聚合物层，所述基质多孔材料层导电，并连接所述离子交换膜。

本发明的目的还在于提供了色谱基线抑制装置的制造方法，该发明目的是通过以下技术方案得以实现的：

色谱基线抑制装置的制造方法，所述制造方法包括电极的制造阶段，所述电极的制造阶段为：

基质多孔材料分别经过有机试剂和纯水超声清洗后并烘干；

旋转基质多孔材料，将合成的聚合物均匀滴定在基质多孔材料表面；同时，所述基质多孔材料倾斜设置，从而调整聚合物材料在基质多孔材料上的修饰厚度，使得从基座多孔材料的一侧到另一端，修饰厚度逐渐变小；

将离子交换膜贴在所述基质多孔材料上。

与现有技术相比，本发明具有的有益效果为：

1.抑制效率高；

极大地提高抑制装置整体电势场均一性，表面修饰的聚合物层厚度逐渐降低设计，使得淋洗液入口处电流密度大，出口处电流密度小，提高抑制效率，降低噪声；

2.噪声小，灵敏度高；

基质多孔材料层为中空多孔形态，反应接触面积更大，电解水产生均匀的气泡，避免气泡导致的电阻变化和基线波动，提高灵敏度；

离子交换膜和电极材料通过聚合物修饰紧紧贴合，降低电阻，减少发热引起的噪声；

3.重复性好；