[发明专利]一种全包封TO-220F二极管制造方法在审
申请号: | 202211737633.1 | 申请日: | 2022-12-31 |
公开(公告)号: | CN115881536A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 万奎;丁伟 | 申请(专利权)人: | 常州星海电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/56;H01L21/66 |
代理公司: | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人: | 于雅洁 |
地址: | 213000 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 全包封 to 220 二极管 制造 方法 | ||
1.一种全包封TO-220F二极管制造方法,其特征在于,具体制造工艺步骤如下:
步骤一、材料进厂检验,对进厂的二极管制造材料进行检验,检验包括对二极管制造材料的规格尺寸、零件重量和运输过程中有无堆压损坏;
步骤二、划片,采用划片机对二极管进行划片处理;
步骤三、上芯,采用上芯机进行上芯处理;
步骤四、焊线,采用OE双头焊线机在生产过程中,左边焊头负责焊接框架偶数位置的产品,右边焊头负责焊接框架奇数位置的产品;
步骤五、QC检,对材料的规格、型号、数量、物理化学特性进行质检;
步骤六、塑封,将焊线后的框架置入模具中,采用树脂胶体对二极管芯片进行注塑压制成型,得到树脂胶体封装的成品二极管组件;
步骤七、后固化,将上述塑封后的二极管组件放入烘箱中烘烤;
步骤八、去溢料,配置混合酸液去除固化后二极管组件的引线及框架上的溢料;
步骤九、电镀,对成品二极管组件伸出树脂胶体封装部位之外的料片框架进行镀锡;
步骤十、剪切;
步骤十一、绝缘测试,采用绝缘测试仪对成品二极管组件进行绝缘测试;
步骤十二、DC测试;
步骤十三、打印;
步骤十四、外观检验,对加工的成品二极管进行外观检验,外观检验包括颜色的色差、表面有无缺损;
步骤十五、包装,对制造完成的成品二极管进行包装处理;
步骤十六、QA检验,对成品进行抽样检验提供检验依据和判定标准;
步骤十七、入库。
2.根据权利要求1所述的一种全包封TO-220F二极管制造方法,其特征在于:所述步骤四中的OE双头焊线机的每个焊头各有2个勾爪,其位置分别在定位叉的左右边焊接时,左边焊头的第1个勾爪负责框架第2、4、6、8、10位置的产品过位,第2个勾爪负责第12、14位置的产品过位,且每完成4个产品,过位一次,完成整条框架在左边焊头的过位工作,如果框架过位时,勾爪准确定位,其正确的位置是勾爪挨着中筋连接处,使载芯板能准确定位在定位叉中,从而保证产品能够正常焊接。
3.根据权利要求1所述的一种全包封TO-220F二极管制造方法,其特征在于:所述步骤六中的塑封过程中,注塑压力为65kg/cm2,模具温度为170℃,EMC预热时间为30秒,顶针收缩时间为29秒,注塑速度为16秒。
4.根据权利要求1所述的一种全包封TO-220F二极管制造方法,其特征在于:所述步骤七后固化中,烘烤分为两个连续阶段,第一阶段120℃烘烤2-3小时,第二阶段150℃烘烤3-5小时。
5.根据权利要求1所述的一种全包封TO-220F二极管制造方法,其特征在于:所述步骤八中去溢料采用由醋酸、工业硫酸和水按照1:1:8的比例配制成的混合酸液去除固化后二极管组件的引线及框架上的溢料。
6.根据权利要求1所述的一种全包封TO-220F二极管制造方法,其特征在于:所述步骤九中,对成品二极管组件伸出树脂胶体封装部位之外的料片框架的镀锡层厚度为6-36um,镀锡层为均匀、结晶细致、有一定厚度、可焊性优良的纯锡保护层。
7.根据权利要求1所述的一种全包封TO-220F二极管制造方法,其特征在于:所述步骤十的剪切步骤中,采用剪切设备对电镀后的成品二极管组件表面的毛刺进行剪切,剪切后采用打磨设备对成品二极管组件的表面剪切部位进行抛光打磨,使其表面平整光滑。
8.根据权利要求1所述的一种全包封TO-220F二极管制造方法,其特征在于:所述步骤十二中DC测试,采用DC测试机对加工的成品二极管组件进行DC测试,并利用步骤十三中打印,对加工的成品二极管组件数量以及各项测试数据进行记录并打印成单据以便后续包装后将单据贴附在包装袋上供人们更加直观的对包装后的成品二极管组件进行性能观察。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造