[发明专利]一种全包封TO-220F二极管制造方法

说明书

本发明公开了一种全包封TO‑220F二极管制造方法，具体涉及全包封技术领域，具体制造工艺步骤如下：步骤一、材料进厂检验；步骤二、划片；步骤三、上芯；步骤四、焊线；步骤五、QC检；步骤六、塑封；步骤七、后固化；步骤八、去溢料；步骤九、电镀；步骤十、剪切；步骤十一、绝缘测试；步骤十二、DC测试；步骤十三、打印；步骤十四、外观检验；步骤十五、包装；步骤十六、QA检验；步骤十七、入库。本发明生产制造方便，通过对TO‑220F产品结构的研究，解决了TO‑220F产品包封均匀性问题、塑封顶针孔填胶问题和绝缘测试问题，装配后的产品质量、电参数稳定，安全性能相对较高，抗干扰能力强。

技术领域

本发明涉及全包封技术领域，更具体地说，本发明涉及一种全包封TO-220F二极管制造方法。

背景技术

功率器件产品发展的方向是全包封，据国外权威机构预测，全包封形式的功率器件在计算机及其外设，通信网络、电子专用设备、仪器仪表、汽车电子等领域的运用将逐步取代传统的半包封产品，市场规模也将大幅度提升。

传统的半导体功率器件多为半包形式(TO-220、TO-3P等)，其优势在于散热性能好，功率大，封装工艺相对简单。但当有新标准出现时，会出现一些由于设计本身导致的缺陷，如电参数不稳定，安全性能相对较差，抗干扰能力偏低等等。

发明内容

本发明技术方案针对现有技术解决方案过于单一的技术问题，提供了显著不同于现有技术的解决方案，为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的实施例提供一种全包封TO-220F二极管制造方法。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种全包封TO-220F二极管制造方法，具体制造工艺步骤如下：

步骤一、材料进厂检验，对进厂的二极管制造材料进行检验，检验包括对二极管制造材料的规格尺寸、零件重量和运输过程中有无堆压损坏；

步骤二、划片，采用划片机对二极管进行划片处理；

步骤三、上芯，采用上芯机进行上芯处理；

步骤四、焊线，采用OE双头焊线机在生产过程中，左边焊头负责焊接框架偶数位置的产品，右边焊头负责焊接框架奇数位置的产品；

步骤五、QC检，对材料的规格、型号、数量、物理化学特性进行质检；

步骤六、塑封，将焊线后的框架置入模具中，采用树脂胶体对二极管芯片进行注塑压制成型，得到树脂胶体封装的成品二极管组件；

步骤七、后固化，将上述塑封后的二极管组件放入烘箱中烘烤；

步骤八、去溢料，配置混合酸液去除固化后二极管组件的引线及框架上的溢料；

步骤九、电镀，对成品二极管组件伸出树脂胶体封装部位之外的料片框架进行镀锡；

步骤十、剪切；

步骤十一、绝缘测试，采用绝缘测试仪对成品二极管组件进行绝缘测试；

步骤十二、DC测试；

步骤十三、打印；

步骤十四、外观检验，对加工的成品二极管进行外观检验，外观检验包括颜色的色差、表面有无缺损；

步骤十五、包装，对制造完成的成品二极管进行包装处理；

步骤十六、QA检验，对成品进行抽样检验提供检验依据和判定标准；

步骤十七、入库。