[发明专利]一种半导体激光器及制作方法在审

专利信息
申请号: 202211737659.6 申请日: 2022-12-30
公开(公告)号: CN115882330A 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 秦红波 申请(专利权)人: 广州导远电子科技有限公司
主分类号: H01S5/02315 分类号: H01S5/02315;H01S5/0239
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 杨勋
地址: 510670 广东省广州市高新*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体激光器 制作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体激光器,其特征在于,包括基板、固定件、反光件以及发射器;

所述固定件和所述发射器均设置于所述基板;所述反光件固定设置于所述固定件内,所述固定件开设有开口,所述开口与所述发射器相对设置,所述开口用于显露所述反光件。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述反光件包括反射面,所述反射面与所述基板所在的平面呈夹角设置,所述开口用于显露至少部分所述反射面。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述固定件包括依次连接的固定板、第一连接板、第二连接板以及倾斜板,所述固定板与所述基板连接,所述倾斜板与所述基板所在的平面呈夹角设置,所述固定板的侧边与所述倾斜板的侧边形成所述开口。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器,其特征在于,所述固定板、所述第一连接板、所述第二连接板以及所述倾斜板共同围成容置腔,所述容置腔的横截面与所述反光件的横截面匹配。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器还包括限位件,所述限位件设置于所述固定件并与所述反光件的两端抵接。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述基板设置有间隔分布的第一焊接区域和第二焊接区域,所述固定件焊接于所述第一焊接区域,所述发射器焊接于所述第二焊接区域。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器,其特征在于,所述第一焊接区域设置有金属层,所述固定件的外表面设置有金属镀层,所述第一焊接区域的金属层与所述固定件的金属镀层焊接以形成焊接层。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述固定件由可伐合金制作而成。

9.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述发射器包括半导体激光芯片、固定座以及光学胶,所述固定座设置于基板,所述半导体激光芯片设置于所述固定座,所述光学胶包覆于所述半导体激光芯片。

10.一种制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求1-9任一项所述的半导体激光器,所述制作方法包括以下步骤:

对所述固定件进行冲压和弯折处理,以使所述固定件的形状与反光件的形状匹配;

将所述反光件固定于所述固定件内;

将所述固定件焊接于基板。

11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述将所述反光件固定于所述固定件内的步骤还包括:

在所述反光件的两端对应所述固定件的部位涂设第一焊接剂,并进行第一回流焊接;

其中,所述第一回流焊接的温度为第一温度。

12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述将所述固定件焊接于基板的步骤包括:

在所述基板设置待焊区域,在所述待焊区域镀设金属镀层;

将所述固定件放置于所述基板的待焊区域并进行焊接。

13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述将所述固定件焊接于基板的步骤还包括:

在所述待焊区域涂设第二焊接剂;

对所述固定件进行第二回流焊接;

其中,所述第二回流焊接的温度为第二温度,所述第二温度小于所述第一温度。

14.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述将所述固定件放置于所述基板的待焊区域的步骤包括:

采用真空吸嘴吸附所述固定件,并将所述固定件放置于所述基板的待焊区域。

15.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括步骤:

对固定件的外表面镀设金属镀层。

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