[发明专利]一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构在审
| 申请号： | 202211740510.3 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115954344A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 程鹏刚;唐磊;王忠芳;杨晓文;刘建军;杨庚;王昕;王晨霞;黄山圃;姚军;王健 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 粒子 性能 碳化硅 jbs 结构 | ||
1.一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构，其特征在于，包括阴极金属、碳化硅N+衬底、N型缓冲层、N-外延层、P+和阳极金属；
所述碳化硅N+衬底的下表面为阴极金属，所述碳化硅N+衬底上依次为N型缓冲层和N-外延层，所述N型缓冲层的浓度大于N-外延层的浓度，所述N-外延层的上表面内间隔均匀分布P+，N-外延层的上表面和P+的上表面为阳极金属。
2.如权利要求1所述的一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构，其特征在于，所述N型缓冲层包括依次设置的第一N型缓冲层、第二N型缓冲层和第三N型缓冲层，所述第一N型缓冲层与碳化硅N+衬底相邻，所述第三N型缓冲层与N-外延层相邻。
3.如权利要求2所述的一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构，其特征在于，所述三层N型缓冲层的浓度由第一N型缓冲层至第三N型缓冲层呈数量级梯度降低，所述相邻缓冲层之间的浓度相差一个数量级。
4.如权利要求1所述的一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构，其特征在于，所述P+为倒T型，P+的底部宽度大于上部宽度。
5.如权利要求1所述的一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构，其特征在于，所述阴极金属为Ti、Al、Ni或Pt。
6.如权利要求1所述的一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构，其特征在于，所述阴极金属与碳化硅N+衬底之间形成欧姆接触。
7.如权利要求1所述的一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构，其特征在于，所述阳极金属为Ni/Au、Ni/Pt或Pt/Au。
8.如权利要求1所述的一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构，其特征在于，所述阳极金属与P+之间形成欧姆接触，与N-外延层之间形成肖特基接触。
9.如权利要求1所述的一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构，其特征在于，所述P+的掺杂浓度为1×1018～1×1020。
10.如权利要求1所述的一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构，其特征在于，所述P+的底部至少进行一次P+注入，P+的上部至少进行一次P+注入。
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