[实用新型]一种双焊点半导体器件封装结构

说明书

本实用新型提供一种双焊点半导体器件封装结构，包括一塑封体，所述塑封体内部具有金属基板、半导体芯片和第一金属基岛；所述半导体芯片焊接于所述金属基板的上表面；所述第一金属基岛通过至少一条第一键合线与所述半导体芯片连接；其中，每条所述第一键合线具有第一焊点和第二焊点，通过所述第一焊点与所述第二焊点焊接在所述半导体芯片上。通过在芯片上增加第二焊点，增强了芯片的均流能力，提高引线键合强度，降低了电流过度集中于一点引发的热失效概率，有助于提高器件的稳定性和寿命，增加可靠性，进一步提高了产品的良品率，大幅提升器件的电压、电流导通能力，进而提高半导体器件的性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种双焊点半导体器件封装结构。

背景技术

半导体功率器件泛指应用于控制大电流(100A以上)或高电压(1200V以上)的功率处理类半导体器件，其主要类型有功率二极管、功率MOSFET管、晶闸管、IGBT等，是电力电子和信息技术等领域最基础和核心的技术。

TO-263作为当前一种主流的贴片式封装，市场需求很大。但传统的TO-263的内部芯片与引脚之间大多采用两点键合。但随着器件向大电流高电压的发展，芯片尺寸相应增大，器件性能要求更高，传统的两点键合容易导致芯片均流能力不足，大电流器件热失效概率大。

实用新型内容

基于现有技术中的问题，本实用新型提供一种双焊点半导体器件封装结构，旨在解决现有技术中半导体功率器件芯片均流能力不足、热失效概率大等技术问题。

一种双焊点半导体器件封装结构，包括一塑封体，所述塑封体内部具有金属基板、半导体芯片和第一金属基岛；

所述半导体芯片焊接于所述金属基板的上表面；

所述第一金属基岛通过至少一条第一键合线与所述半导体芯片连接；

其中，每条所述第一键合线具有第一焊点和第二焊点，通过所述第一焊点与所述第二焊点焊接在所述半导体芯片上。

进一步的，所述塑封体内还包括第二金属基岛；

所述第二金属基岛与所述半导体芯片通过第二键合线连接。

进一步的，所述第一金属基岛和第一引脚连接，所述第二金属基岛和第二引脚连接；

所述第一引脚和所述第二引脚延伸至所述塑封体的外部。

进一步的，所述金属基板的厚度范围为1.0mm～1.5mm。

进一步的，所述第一键合线的数量为1～6，所述第一键合线采用铝线。

进一步的，所述第二键合线采用铝线。

进一步的，所述第一引脚和所述第二引脚分别具有连接的第一部分和第二部分；

所述第一金属基岛与所述第一引脚的第一部分连接，所述第二金属基岛与所述第二引脚的第一部分连接；

所述第一引脚的第一部分和所所述第二引脚的第一部分延伸至所述塑封体的外部；

所述第一引脚的第二部分和所述第二引脚的第二部分均为弯折部，且弯折后的底面与所述金属基板的下表面共平面。

进一步的，所述第一引脚和所述第二引脚的厚度分别为0.2mm～0.8mm。

进一步的，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

进一步的，所述第一部分的宽度为1.0mm～1.5mm；所述第二部分的宽度为0.5mm～1mm。