[实用新型]芯片封装组件

说明书

本实用新型的实施例公开了一种芯片封装组件，包括从上至下依次布置的顶芯片、底芯片及基板；其中，所述底芯片被分割成至少两片子底芯片，两两所述子底芯片之间填充绝缘材料；所述顶芯片通过第一键合结构与每片所述子底芯片电连接；每片所述子底芯片通过第二键合结构分别与所述顶芯片及基板电连接，所述第二键合结构包括布置于子底芯片上的再布线结构,所述再布线结构布置成具有拐点的L型结构。根据本实用新型，其解决了芯片的供电电路过长导致的压降过高问题。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装领域，特别涉及一种芯片封装组件。

背景技术

随着科技的进步与发展，现有的计算系统上需要集成不同的芯片，例如电子集成电路 (EIC) 芯片、光子集成电路(PIC)芯片等，芯片由于计算量庞大，所需功耗极大，而随着芯片面积的增大又会导致负责电连接的线路相应增长，电流通过路径越长电阻也就越大。根据欧姆定理U=IR，电流流经长连接线路后产生电压压降不可忽略并会导致额外功耗，压降过多还可能导致系统无法正常工作。

有鉴于此，实有必要开发一种芯片封装组件，用以解决现有技术中芯片压降过高的问题。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种芯片封装组件，用以解决芯片的供电电路过长导致的压降过高问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型的实施例公开了如下技术方案：

提供一种芯片封装组件，包括从上至下依次布置的顶芯片、底芯片及基板；

其中，所述底芯片被分割成至少两片子底芯片，两两所述子底芯片之间填充绝缘材料；所述顶芯片通过第一键合结构与每片所述子底芯片电连接；每片所述子底芯片通过第二键合结构分别与所述顶芯片及基板电连接，所述第二键合结构包括布置于子底芯片上的再布线结构，所述再布线结构布置成具有拐点的L型结构。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述第二键合结构还包括：

第一键合段，所述第一键合段与再布线结构的其中一端电连接；

第二键合段，所述第二键合段与所述第一键合段电连接；以及

第三键合段，所述第三键合段分别与所述第二键合段及所述基板电连接。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，每片所述子底芯片的外周的至少一部分设置有封装层；所述第一键合段自所述再布线结构的相应一端出发横向延伸至所述封装层；所述第二键合段自所述第一键合段出发朝着所述基板纵向延伸并终止于所述第三键合段。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述封装层至少布置在两两所述子底芯片之间。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，至少两片所述子底芯片在所述基板上的投影面积之和小于所述顶芯片在所述基板上的投影面积。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述封装层中开设有至少一个过孔，所述第二键合段填充在所述过孔之中。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述顶芯片通过第一键合结构倒装在所述底芯片的面向顶芯片的表面上。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述子底芯片按照线性或矩阵结构布置。

从上至下依次布置的顶芯片、底芯片及基板；

其中，所述底芯片被分割成至少两片子底芯片，两两所述子底芯片之间彼此绝缘；所述顶芯片通过第一键合结构与每片所述子底芯片电连接；每片所述子底芯片通过第二键合结构分别与所述顶芯片及基板电连接。