[实用新型]全波整流器电路、对数放大器及芯片有效

专利信息
申请号: 202220083145.2 申请日: 2022-01-12
公开(公告)号: CN216774631U 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 吴拓 申请(专利权)人: 南京金阵微电子技术有限公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 徐秀秀
地址: 210000 江苏省南京市中国(江苏)自由*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 整流器 电路 对数放大器 芯片
【权利要求书】:

1.一种全波整流器电路,其特征在于,所述全波整流器电路包括:

沟道电流单元,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管;

电流差分单元,与所述沟道电流单元连接,输出所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管组合形成的电流差值;

工艺偏差调节单元,串联于所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的源极路径中;

电流源,与所述工艺偏差调节单元连接,向所述工艺偏差调节单元提供偏差调节电流。

2.根据权利要求1所述的全波整流器电路,其特征在于:

所述第一晶体管的栅极为正向电压输入端,所述第二晶体管的栅极为负向电压输入端。

3.根据权利要求1所述的全波整流器电路,其特征在于:

所述电流差分单元包括第一电流支路和第二电流支路;

所述第一电流支路的电流为所述第一晶体管和所述第四晶体管的沟道电流之和,所述第二电流支路的电流为所述第二晶体管和所述第三晶体管的沟道电流之和。

4.根据权利要求1所述的全波整流器电路,其特征在于,所述工艺偏差调节单元包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;

所述第一电阻的一端与所述第一晶体管的源极连接,所述第二电阻的一端与所述第二晶体管的源极连接,所述第三电阻的一端与所述第三晶体管的源极连接,所述第四电阻的一端与所述第四晶体管的源极连接。

5.根据权利要求4所述的全波整流器电路,其特征在于,所述电流源包括:第一电流源和第二电流源;

所述第一电阻的另一端、所述第二电阻的另一端均与所述第一电流源的一端连接,所述第三电阻的另一端、所述第四电阻的另一端均与所述第二电流源的一端连接。

6.根据权利要求5所述的全波整流器电路,其特征在于:

所述第一电流源的另一端与所述第二电流源的另一端连接,以使所述第一电流源的电流方向与所述第二电流源的电流方向相反。

7.根据权利要求4所述的全波整流器电路,其特征在于:

所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻和所述第四电阻均为多晶硅电阻。

8.一种对数放大器,其特征在于,包括:权利要求1至7任一项所述的全波整流器电路。

9.一种芯片,其特征在于,包括:权利要求8所述的对数放大器。

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