[实用新型]全波整流器电路、对数放大器及芯片

说明书

本实用新型提供一种全波整流器电路、对数放大器及芯片，所述全波整流器电路包括：沟道电流单元，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；电流差分单元，与所述沟道电流单元连接，输出所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管组合形成的电流差值；工艺偏差调节单元，串联于所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的源极路径中；电流源，与所述工艺偏差调节单元连接，向所述工艺偏差调节单元提供偏差调节电流。本实用新型通过电路结构的改进，可以进一步减小PVT变化。

技术领域

本实用新型属于全波整流的技术领域，涉及一种整流电路，特别是涉及一种全波整流器电路、对数放大器及芯片。

背景技术

对数放大器是指输出信号幅度与输入信号幅度呈对数函数关系的放大电路。主要将信号转换成其等效对数值，涉及到一种非线性运算放大器。对数放大器通常分为两种类型，第一种是基本对数放大器，通常基于双极性三极管的对数特性来实现信号的对数变换，其优点是动态范围较大(例如100dB)，但温度特性通常较差，需要补偿，但最大的缺点还是CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺不兼容。第二种是分段线性对数放大器，通常还可以细分为基带对数放大器和解调对数放大器两种模式，CMOS工艺下是一种比较常见的结构，但其动态范围相对小一些，但其工艺变化引起的偏差仍然很大。

分段线性对数放大器通常包含两个部分：限幅放大器和全波整流器。其中限幅放大器的增益决定于两个物理量的比值，通常是两个晶体管的跨导比值，作为一个无量纲数，对工艺变化的敏感性较低。而全波整流器的工艺变化偏差是对数放大器对工艺偏差的关键因素。

因此，如何提供一种低偏差的全波整流器电路，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种全波整流器电路、对数放大器及芯片，用于解决现有技术无法进一步减小工艺变化所引起的偏差的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型一方面提供一种全波整流器电路，所述全波整流器电路包括：沟道电流单元，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；电流差分单元，与所述沟道电流单元连接，输出所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管组合形成的电流差值；工艺偏差调节单元，串联于所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的源极路径中；电流源，与所述工艺偏差调节单元连接，向所述工艺偏差调节单元提供偏差调节电流。

于本实用新型的一实施例中，所述第一晶体管的栅极为正向电压输入端，所述第二晶体管的栅极为负向电压输入端。

于本实用新型的一实施例中，所述电流差分单元包括第一电流支路和第二电流支路；所述第一电流支路的电流为所述第一晶体管和所述第四晶体管的沟道电流之和，所述第二电流支路的电流为所述第二晶体管和所述第三晶体管的沟道电流之和。

于本实用新型的一实施例中，所述工艺偏差调节单元包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述第一电阻的一端与所述第一晶体管的源极连接，所述第二电阻的一端与所述第二晶体管的源极连接，所述第三电阻的一端与所述第三晶体管的源极连接，所述第四电阻的一端与所述第四晶体管的源极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述电流源包括：第一电流源和第二电流源；所述第一电阻的另一端、所述第二电阻的另一端均与所述第一电流源的一端连接，所述第三电阻的另一端、所述第四电阻的另一端均与所述第二电流源的一端连接。

于本实用新型的一实施例中，所述第一电流源的另一端与所述第二电流源的另一端连接，以使所述第一电流源的电流方向与所述第二电流源的电流方向相反。

于本实用新型的一实施例中，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻和所述第四电阻均为多晶硅电阻。