[实用新型]一种磁控溅射装置

说明书

本实用新型涉及一种磁控溅射装置，包括一真空腔体，所述真空腔体内设有第一收放卷辊、若干冷却辊和第二收放卷辊，薄膜依次经过所述第一收放卷辊、若干所述冷却辊和所述第二收放卷辊，在所述冷却辊的外侧面设有靶材，该靶材为弧形靶材，且弧形靶材的内凹面朝向所述冷却辊。本实用新型的磁控溅射设备通过少量的冷却辊配合弧形的靶材，即可完成对薄膜的磁控溅射镀膜工艺，结构简单，相比现有设备，辊系数量大大减少，节约了设备成本；且采用弧形结构的靶材使得上面的物质在氩气离子的轰击下，能够垂直地层积到冷却辊上的薄膜膜面处，防止磁控溅射镀膜过程中靶材上的材料溅射到真空腔体表面等非目标区域，避免造成靶材的浪费。

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射工艺领域，具体的说，是涉及一种磁控溅射装置。

背景技术

物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子、分子或部分离子，在基体表面沉积具有某种功能的薄膜技术。物理气相沉积的主要方法有磁控溅射、真空蒸镀、离子镀膜等等，且物理气相沉积技术不仅可以沉积金属膜、合金膜，还可以沉积化合物、陶瓷、半导体等。

其中，磁控溅射镀膜是指在真空条件下，利用获得功能的粒子轰击靶材表面，使靶材表面原子获得足够的能量而逃逸，溅射到薄膜上，成膜均匀，结合力良好，得到广泛的应用。

现有磁控溅射设备设备辊系比较多，成本高，并且所使用的靶材，在实际工作过程中容易溅射到薄膜以外的地方，导致设备的真空腔体表面经常出线靶材上的材料，造成靶材浪费，增加了额外的成本。

以上问题，值得解决。

发明内容

为了克服现有技术的问题，本实用新型提供一种磁控溅射装置。

本实用新型技术方案如下所述：

一种磁控溅射装置，包括一真空腔体，其特征在于，所述真空腔体内设有第一收放卷辊、若干冷却辊和第二收放卷辊，薄膜依次经过所述第一收放卷辊、若干所述冷却辊和所述第二收放卷辊，在所述冷却辊的外侧面设有靶材，该靶材为弧形靶材，且弧形靶材的内凹面朝向所述冷却辊。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述靶材包括第一靶材和第二靶材，所述第一靶材和所述第二靶材不重叠地设于所述冷却辊旁侧。

进一步的，所述第一靶材和所述第二靶材覆盖所述冷却辊的辊面的三分之一至三分之二。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，若干所述冷却辊包括第一冷却辊和第二冷却辊，所述第一冷却辊和所述第二冷却辊的旁侧均设有两个弧形靶材。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述第一冷却辊和所述第二冷却辊之间设有转向辊。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述靶材通过一可调的支撑座设置在所述真空腔体内，使得所述靶材与所述冷却辊之间的距离可调。

进一步的，所述支撑座的材质为高熔点材料。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述第一收放卷辊和所述第二收放卷辊设置在所述真空腔体的壁面上，或者通过固定座设置在所述真空腔体的内腔中。

进一步的，所述固定座的材质为高熔点材料。

根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于：

本实用新型的磁控溅射设备通过少量的冷却辊配合弧形的靶材，即可完成对薄膜的磁控溅射镀膜工艺，结构简单，相比现有设备，辊系数量大大减少，节约了设备成本；

另一方面，采用弧形结构的靶材使得上面的物质在氩气离子的轰击下，能够垂直地层积到冷却辊上的薄膜膜面处，防止磁控溅射镀膜过程中靶材上的材料溅射到真空腔体表面等非目标区域，避免造成靶材的浪费。

附图说明