[实用新型]冷却装置和晶体生长设备

权利要求书

1.一种冷却装置，其特征在于，所述冷却装置(1)用于晶体生长设备(100)，且用于对晶体(101)进行冷却，所述晶体(101)的顶部具有晶冠(101a)，

所述冷却装置(1)包括：

第一冷却套(11)，所述第一冷却套(11)适于与所述晶体生长设备(100)的拉晶机构(4)固定相连且罩设于所述晶冠(101a)上侧，在晶体生长过程中所述第一冷却套(11)随所述拉晶机构(4)的提升而上升，且所述第一冷却套(11)的内壁面和所述晶体(101)的表面间隔开，所述第一冷却套(11)限定出至少一个第一冷却通道；

第二冷却套(12)，所述第二冷却套(12)形成为筒状结构，在所述冷却装置(1)的横截面上，所述第二冷却套(12)的正投影套设于所述第一冷却套(11)的正投影外，所述第二冷却套(12)限定出第二冷却通道，且用于在所述晶体(101)的生长过程中对所述晶体(101)的不同部分进行冷却。

2.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述第一冷却套(11)形成有第一通孔(11a)，所述拉晶机构(4)适于穿设于所述第一通孔(11a)。

3.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述第一冷却套(11)的顶部形成有多个第二通孔(11b)，多个所述第二通孔(11b)沿所述第一冷却套(11)的周向间隔设置，使保护气通过所述第二通孔(11b)流入所述冷却装置(1)和所述晶体(101)之间。

4.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述第一冷却套(11)包括：

第一冷却部(111)，所述第一冷却部(111)形成为筒状结构，且限定出所述第一冷却通道；

第二冷却部(112)，所述第二冷却部(112)盖设于所述第一冷却部(111)的上端，且与所述拉晶机构(4)固定相连，所述第二冷却部(112)限定出所述第一冷却通道，且所述第二冷却部(112)的所述第一冷却通道与所述第一冷却部(111)的所述第一冷却通道独立设置。

5.根据权利要求4所述的冷却装置，其特征在于，在所述冷却装置(1)的纵截面上，所述第一冷却部(111)的外周壁与所述第二冷却套(12)的内周壁中的至少一个形成为曲线段。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的冷却装置，其特征在于，所述第二冷却套(12)的外周壁设有散热结构(13)。

7.根据权利要求6所述的冷却装置，其特征在于，所述散热结构(13)包括多组沿所述第二冷却套(12)的轴向依次布置的散热组，至少相邻两组所述散热组中，位于下侧的所述散热组在所述第二冷却套(12)轴向上单位长度的散热面积大于位于上侧的所述散热组在所述第二冷却套(12)轴向上单位长度的散热面积。

8.根据权利要求6所述的冷却装置，其特征在于，所述散热结构(13)包括：

至少一组翅片组，每组所述翅片组包括多个散热翅片，所述翅片组的多个所述散热翅片沿所述第二冷却套(12)的轴向和/或周向间隔设置。

9.根据权利要求8所述的冷却装置，其特征在于，所述翅片组为多组且沿所述第二冷却套(12)的轴向依次布置，至少相邻两组所述翅片组中，位于下侧的所述翅片组在所述第二冷却套(12)轴向上单位长度的散热面积大于位于上侧的所述翅片组在所述第二冷却套(12)轴向上单位长度的散热面积。

10.一种晶体生长设备，其特征在于，包括炉体(2)和根据权利要求1-9中任一项所述的冷却装置，所述冷却装置(1)设于所述炉体(2)内且用于对所述晶体(101)进行冷却。