[实用新型]冷却装置和晶体生长设备有效

专利信息
申请号: 202220246462.1 申请日: 2022-01-29
公开(公告)号: CN217052483U 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 王双丽;陈俊宏 申请(专利权)人: 徐州鑫晶半导体科技有限公司
主分类号: C30B27/02 分类号: C30B27/02;C30B27/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 吴婷
地址: 221004 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 冷却 装置 晶体生长 设备
【说明书】:

实用新型公开了一种冷却装置和晶体生长设备,冷却装置用于晶体生长设备,且用于对晶体进行冷却,晶体的顶部具有晶冠,冷却装置包括第一冷却套和第二冷却套,第一冷却套适于与晶体生长设备的拉晶机构固定相连且罩设于晶冠上侧,在晶体生长过程中第一冷却套随拉晶机构的提升而上升,且第一冷却套的内壁面和晶体的表面间隔开,第二冷却套形成为筒状结构,在冷却装置的横截面上,第二冷却套的正投影套设于第一冷却套的正投影外,第二冷却套用于在晶体的生长过程中对晶体的不同部分进行冷却。根据本实用新型的冷却装置,有效保证晶体整个生长过程中的冷却需求,尤其是保证了晶体生长初期对晶冠的冷却需求。

技术领域

本实用新型涉及晶体生产设备技术领域,尤其是涉及一种冷却装置和晶体生长设备。

背景技术

晶体生长设备比如单晶炉中,通常设置冷却装置以用于对晶体进行冷却。然而,相关技术中,冷却装置在长晶初期,冷却装置与固液界面相距较远,使得冷却装置对于晶体生长初期的冷却效果欠佳,尤其是对晶体的晶冠的冷却效果无法满足需求。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出一种冷却装置,所述冷却装置有效保证晶体整个生长过程中的冷却需求,尤其是保证了晶体生长初期对晶冠的冷却需求。

本实用新型还提出一种具有上述冷却装置的晶体生长设备。

根据本实用新型第一方面实施例的冷却装置,所述冷却装置用于晶体生长设备,且用于对晶体进行冷却,所述晶体的顶部具有晶冠,所述冷却装置包括:第一冷却套,所述第一冷却套适于与所述晶体生长设备的拉晶机构固定相连且罩设于所述晶冠上侧,在晶体生长过程中所述第一冷却套随所述拉晶机构的提升而上升,且所述第一冷却套的内壁面和所述晶体的表面间隔开,所述第一冷却套限定出至少一个第一冷却通道;第二冷却套,所述第二冷却套形成为筒状结构,在所述冷却装置的横截面上,所述第二冷却套的正投影套设于所述第一冷却套的正投影外,所述第二冷却套限定出第二冷却通道,且用于在所述晶体的生长过程中对所述晶体的不同部分进行冷却。

根据本实用新型实施例的冷却装置,通过设置冷却装置包括第一冷却套和第二冷却套,并使得第一冷却套适于罩设于晶冠上侧以对晶冠进行冷却、第二冷却套用于在晶体生长过程中对晶体的不同部分进行冷却,从而有效保证晶体整个生长过程中的冷却需求,尤其是保证了晶体生长初期对晶冠的冷却需求。

在一些实施例中,所述第一冷却套形成有第一通孔,所述拉晶机构适于穿设于所述第一通孔。

在一些实施例中,所述第一冷却套的顶部形成有多个第二通孔,多个所述第二通孔沿所述第一冷却套的周向间隔设置,使保护气通过所述第二通孔流入所述冷却装置和所述晶体之间。

在一些实施例中,所述第一冷却套包括:第一冷却部,所述第一冷却部形成为筒状结构,且限定出所述第一冷却通道;第二冷却部,所述第二冷却部盖设于所述第一冷却部的上端,且与所述拉晶机构固定相连,所述第二冷却部限定出所述第一冷却通道,且所述第二冷却部的所述第一冷却通道与所述第一冷却部的所述第一冷却通道独立设置。

在一些实施例中,在所述冷却装置的纵截面上,所述第一冷却部的外周壁与所述第二冷却套的内周壁中的至少一个形成为曲线段。

在一些实施例中,所述第二冷却套的外周壁设有散热结构。

在一些实施例中,所述散热结构包括多组沿所述第二冷却套的轴向依次布置的散热组,至少相邻两组所述散热组中,位于下侧的所述散热组在所述第二冷却套轴向上单位长度的散热面积大于位于上侧的所述散热组在所述第二冷却套轴向上单位长度的散热面积。

在一些实施例中,所述散热结构包括:至少一组翅片组,每组所述翅片组包括多个散热翅片,所述翅片组的多个所述散热翅片沿所述第二冷却套的轴向和/或周向间隔设置。

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