[实用新型]圆角引线桥堆框架

说明书

圆角引线桥堆框架。涉及一种半导体技术领域，尤其涉及圆角引线桥堆框架。包括设置在封装体内的框架一、框架二、框架三和框架四；其特征在于，所述框架一呈长条状，间隔设置在所述框架二的一侧；所述框架四间隔设置在所述框架二的另一侧；所述框架三间隔设置在所述框架二的上方，并设有延伸至所述框架二与框架四之间的连接部。本案产品铜底板为整体由冲切模具冲出，芯片和框架堆叠与铜底板上面，四根引脚焊接在铜底板的一边，保持了原有的引线结构外观同时，降低了材料的用量，提高了制备的效率。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体技术领域，尤其涉及圆角引线桥堆框架。

背景技术

整流桥是将整流管封在一个壳内，分为全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起；半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路，选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。

圆引线整流桥作为整流桥产品的一种，传统的产品，如图是设计四个引线组成的产品结构，在组装过程中，需要放置四次引线，芯片放置至少两次，焊料至少放置两次，产品结构应力大，生产工艺复杂，劳动强度大，工作效率低。

针对上述问题，申请人于2011年11月申请了一件授权公告号为CN 202332843 U的实用新型专利；公开了一种能降低产品整体高度的矮本体整流桥堆，包括设置在封装体内部的具有纵向引脚的框架一 ~ 四、芯片一 ~ 四和跳线一 ~ 四，所述跳线一 ~ 四在所述封装体内部以横向方向设置。随着产品要求的不断提升， 原先开发的产品结构已经很难满足高端客户的需要，而且铜带较宽，制备过程中产生的废铜较多。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种结构紧凑、降低产品成本、加工简便的圆角引线桥堆框架。

本实用新型的技术方案是：圆角引线桥堆框架，包括设置在封装体内的框架一、框架二、框架三和框架四；其特征在于，所述框架一呈长条状，间隔设置在所述框架二的一侧；

所述框架四间隔设置在所述框架二的另一侧；

所述框架三间隔设置在所述框架二的上方，并设有延伸至所述框架二与框架四之间的连接部。

所述框架三呈L型结构，与框架一和框架二之间形成镂空区。

所述框架二上设有键合的芯片二，所述芯片二通过跳线二与框架一电性连接。

所述框架三上设有键合的芯片三，所述芯片三通过跳线三与框架一电性连接。

所述框架一、框架二和框架三之间设有连接筋。

所述连接筋呈T型结构。

所述框架四上设有上下间隔设置的芯片A和芯片B；

所述芯片A通过跳线A与框架三电性连接；

所述芯片B通过跳线B与框架二电性连接。

所述框架一的底部设有向下延伸的引脚一；

所述框架二的底部设有向下延伸的引脚二；

所述连接部的底部设有向下延伸的引脚三；

所述框架四的底部设有向下延伸的引脚四。

所述框架四上用于键合芯片B的芯片B键合区向框架二一侧方向凸出。

所述框架一为负极框架，所述框架四为正极框架，所述框架二和框架三分别为交流框架。