[实用新型]一种反应室及化学气相沉积设备

说明书

本申请提供了一种反应室及化学气相沉积设备，涉及半导体生产设备领域。所述反应室包括顶盖、底座及固定挡板，所述底座上设有凹槽，所述固定挡板上设有对应的凸块，所述凹槽与所述凸块配合，使所述固定挡板与所述底座固定连接，所述固定挡板用于遮挡所述底座的表面，所述凸块的长度和宽度均大于所述凸块插入所述凹槽的深度。所述化学气相沉积设备包括上述反应室。本申请的所述凸块在插入所述凹槽内或从所述凹槽内取出时，所述凸块不易折断；所述凸块受到热胀冷缩时不易断裂，避免所述挡板的意外滑动；所述凸块插入所述凹槽时容易对准，方便所述固定挡板安装于所述反应室内。

技术领域

本申请涉及半导体生产设备领域，尤其涉及一种反应室及化学气相沉积设备。

背景技术

CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术。气体在沉积时沉积涂层会附着在反应室的腔体上，对反应室的腔体造成污染，影响后续的生产。因为反应室清洁较为困难，现有技术通常在反应室的腔体上设置挡板，以此来遮挡反应室的腔体。

现有技术通常在挡板上设置销钉，反应室上设有对应的销孔，销钉与销孔配合以防止挡板滑动。但在实际使用过程中，采用销钉结构固定连接有以下几个方面的缺点，1、因误碰或者沉积涂层生长到销钉处，导致销钉在清机过程中易发生折断，使挡板的重复使用率不高，需要频繁更换挡板，增加了使用成本。2、销钉在反应室内可能会因热胀冷缩而导致断裂，断裂后的销钉无法继续固定挡板，在大量反应气体的作用下，会促使挡板发生滑动，滑动过程中挡板存在与加工工件发生碰撞的风险，导致工件的工艺数据无法达到要求，工件的良品率下降。3、销钉与销孔不易对准，使挡板不便安装于反应室的腔体上。

实用新型内容

为克服现有技术中的不足，本申请提供一种反应室及化学气相沉积设备。

本申请提供如下技术方案：

一种反应室，所述反应室包括顶盖、底座及固定挡板，所述底座上设有凹槽，所述固定挡板上设有对应的凸块，所述凹槽与所述凸块配合，使所述固定挡板与所述底座固定连接，所述固定挡板用于遮挡所述底座的表面，所述凸块的长度和宽度均大于所述凸块插入所述凹槽的深度。

在一种可能的实施方式中，所述底座上设有承载装置，所述固定挡板上设有配合部，所述配合部的形状与所述承载装置的形状配合，使所述固定挡板遮挡所述底座上除所述承载装置覆盖范围外的区域。

在一种可能的实施方式中，所述底座上至少设有两块所述固定挡板，至少两块所述固定挡板的所述配合部与所述承载装置配合，将所述承载装置包围于至少两个所述配合部围成的区域内。

在一种可能的实施方式中，所述固定挡板上设有两个所述凸块。

在一种可能的实施方式中，两个所述凸块在所述固定挡板上对称设置。

在一种可能的实施方式中，两个所述凸块的长度方向与所述固定挡板的长度方向平行。

在一种可能的实施方式中，所述凸块的长度占所述固定挡板长度的百分之七十五。

在一种可能的实施方式中，两个所述凸块的长度方向与所述固定挡板的宽度方向平行。

在一种可能的实施方式中，所述凸块的长度占所述固定挡板宽度的百分之五十。

第二方面，本申请还提供了一种化学气相沉积设备，包括上述的反应室。

相比现有技术，本申请的有益效果：