[实用新型]一种GaN器件的高效封装装置

说明书

本实用新型公开了一种GaN器件的高效封装装置，包括下模和上模，所述下模的模腔用于放置芯片，所述上模前后侧壁上各设置有一组上引脚定位槽，所述下模前后侧壁上各设置有一组下引脚定位槽，所述芯片前后两侧的引脚卡接在上引脚定位槽与下引脚定位槽之间，所述上模的顶部开设有散热片孔，所述散热片孔与散热片卡接配合，所述上模的顶部设置有一对注料嘴，所述上模的上方设置有压板，所述压板上设置有一对避空槽，所述注料嘴从避空槽中穿过。本实用新型结构简单，定位效率高、精度高，对器件损伤小。

技术领域

本实用新型涉及封装技术领域，具体为一种GaN器件的高效封装装置。

背景技术

GaN即氮化镓，属第三代半导体材料，六角纤锌矿结构。GaN具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。gan基材料在高亮度蓝、绿、紫和白光二极管,蓝、紫色激光器以及抗辐射、高温大功率微波器件等领域有着广泛的应用潜力和良好的市场前景。因为GaN材料的优良性能被广泛应用于芯片制作中。在GaN芯片等器件的封装过程中，需要利用专用的封装装置对器件进行定位，而后向封装装置中注入环氧树脂或其他封装材质，进行封装。然而，目前现有的GaN器件的高效封装装置大多存在定位效率低，定位过程易损伤器件的缺陷。因此，需要一种新型的GaN器件的高效封装装置针对上述缺陷做出改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种GaN器件的高效封装装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种GaN器件的高效封装装置，包括下模和上模，所述下模的模腔用于放置芯片，所述上模前后侧壁上各设置有一组上引脚定位槽，所述下模前后侧壁上各设置有一组下引脚定位槽，所述芯片前后两侧的引脚卡接在上引脚定位槽与下引脚定位槽之间，所述上模的顶部开设有散热片孔，所述散热片孔与散热片卡接配合，所述上模的顶部设置有一对注料嘴，所述上模的上方设置有压板，所述压板上设置有一对避空槽，所述注料嘴从避空槽中穿过。

优选的，所述散热片孔的上端口上设置有倒角。

优选的，所述下模的四个拐角处固定连接有一组L型的定位块，所述上模卡接在定位块的内侧。

优选的，所述下模的前后侧壁上设置有引脚引导板，所述引脚引导板上开设有一组与下引脚定位槽对齐的引脚引导槽。

优选的，所述引脚引导槽上端口设置有向外张开的呈圆弧形的开口。

优选的，所述引脚引导板采用尼龙材质。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型中注料嘴设为一对，有利提升注料的均匀度。引脚引导槽对引脚进行引导，避免损伤引脚。圆弧形的开口和引导板采用尼龙材质都可进一步提升对引脚的保护。本实用新型结构简单，定位效率高、精度高，对器件损伤小。

附图说明

图1为一种GaN器件的高效封装装置的结构示意图；

图2为一种GaN器件的高效封装装置的结构分解示意图；

图3为图2中K处的局部结构示意图。

图中：1-上模，2-下模，3-压板，4-避空槽，5-注料嘴，6-散热片孔，7-倒角，8-散热片，9-芯片，10-引脚，11-上引脚定位槽，12-下引脚定位槽，13-引脚引导板，14-引脚引导槽，15-开口，16-定位块。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。