[实用新型]半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 202220347754.4 申请日: 2022-02-21
公开(公告)号: CN217009187U 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 朱富成;丁俊彦 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58;H01L25/18
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

基板;

第一芯片和第二芯片,彼此间隔的设置在所述基板上;

中介层,位于所述第一芯片和所述第二芯片上方并跨越所述第一芯片和所述第二芯片之间的间隔;

电源整合器,位于所述中介层上并至少部分地与所述第一芯片和所述第二芯片重叠,其中,所述电源整合器通过所述中介层分别连接至所述第一芯片和所述第二芯片;以及

电源传输件,从所述基板穿过所述中介层而连接至所述电源整合器,

其中,所述中介层中具有连接所述电源整合器与所述第一芯片和所述第二芯片的接地贯通孔,以形成从所述电源整合器到所述第一芯片和所述第二芯片的接地路径,

所述电源传输件由所述接地贯通孔围绕。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述中介层中还具有连接所述电源整合器与所述第一芯片和所述第二芯片的电源贯通孔,以形成从所述电源整合器到所述第一芯片和所述第二芯片的电源路径,

其中,所述电源贯通孔设置在所述电源传输件和所述接地贯通孔的外围区域。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述电源传输件的数量为多个,并且相邻的两个所述电源传输件之间设置有所述接地贯通孔。

4.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述电源传输件的直径大于所述接地贯通孔的直径,并且所述电源传输件的直径大于所述电源贯通孔的直径。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述电源传输件穿过位于所述第一芯片和所述第二芯片之间的所述中介层。

6.半导体封装结构,其特征在于,包括:

基板;

中介层,位于所述基板上;

第一电源整合器,内埋于所述中介层内并且连接至所述基板;

第一芯片,位于所述中介层上,其中,所述第一电源整合器还通过所述中介层连接至所述第一芯片。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述第一电源整合器通过凸块连接件直接连接至所述基板。

8.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述中介层中具有从所述第一电源整合器到所述第一芯片的接地路径和电源路径。

9.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括:

第二电源整合器,内埋于所述中介层内并且与所述第一电源整合器间隔开;

第二芯片,位于所述中介层上,其中,所述第二电源整合器通过所述中介层连接至所述第二芯片。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括:

存储器,接合在所述第二芯片上方。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202220347754.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top