[实用新型]承载装置及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种承载装置，其特征在于，包括基座和设置在所述基座上的承载盘，其中，所述承载盘用于承载晶圆，所述基座的内部设有多个控温流道，多个所述控温流道相互独立以能够分别通入控温流体，多个所述控温流道沿所述基座的厚度方向间隔布置，且多个所述控温流道在所述基座的顶面上的投影至少部分重叠；每相邻的两个所述控温流道沿所述基座的厚度方向具有预设间距，每相邻的两个所述控温流道通入的所述控温流体的温度差不大于预设阈值且所述控温流体的流动方向相反。

2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述预设阈值为0.5℃。

3.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，每相邻的两个所述控温流道通入的所述控温流体的温度相同。

4.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，每个所述控温流道的进口和出口均位于所述基座的底面上，且在相邻的两个所述控温流道中，任一个所述控温流道的所述进口与另一个所述控温流道的所述出口相互错开，每个所述控温流道均包括控温段、流入段以及流出段，其中，

所述流入段的一端与所述控温段连通，所述流入段的另一端朝向所述基座的底面延伸并与相应的所述进口连通，所述流出段的一端与所述控温段连通，所述流出段的另一端朝向所述基座的底面延伸并与相应的所述出口连通，多个所述控温流道的所述控温段在所述基座的顶面上的至少部分投影完全重叠。

5.根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，在每个所述控温流道中，所述控温段在同一平面内进行布置，且所述控温段所在平面与所述基座的顶面平行，和/或，所述流入段的延伸方向与所述基座的顶面垂直，和/或，所述流出段的延伸方向与所述基座的顶面垂直。

6.根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，在每个所述控温流道中，所述控温段呈螺旋形且横截面呈矩形，所述控温段由外至内盘绕圈数为3～8圈。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的承载装置，其特征在于，

相邻的两个所述控温流道的所述控温段之间具有所述预设间距，所述预设间距小于等于15mm；和/或，

在多个所述控温流道中，最靠近所述基座的顶面的所述控温流道的所述控温段与所述基座的顶面之间的距离大于等于3mm且小于等于4mm；和/或，

在多个所述控温流道中，最靠近所述基座的底面的所述控温流道的所述控温段与所述基座的底面之间的距离大于等于3mm且小于等于4mm。

8.根据权利要求4至6中任一项所述的承载装置，其特征在于，所述控温流道为两个，所述基座包括由上至下依次叠置的第一基板、第二基板以及第三基板，其中，

所述第一基板的底面开设有第一凹槽，且所述第一凹槽的槽口通过所述第二基板的顶面进行封闭，以形成一个所述控温流道的所述控温段，所述第二基板设有沿其厚度方向贯通的两个第一通孔，两个所述第一通孔均与所述第一凹槽连通，所述第三基板设有沿其厚度方向贯通的两个第二通孔，两个所述第二通孔分别与两个所述第一通孔同轴且连通，以分别形成该控温流道的所述流入段和所述流出段，两个所述第二通孔位于所述第三基板的底面的孔口分别形成该控温流道的所述进口和所述出口；

所述第三基板的顶面开设有第二凹槽，且所述第二凹槽的槽口通过所述第二基板的底面进行封闭，以形成另一个所述控温流道的所述控温段，所述第三基板还设有沿其厚度方向延伸的两个第三通孔，且两个所述第三通孔均与所述第二凹槽连通，以分别形成该控温流道的所述流入段和所述流出段，两个所述第三通孔背离所述第二凹槽的一端的孔口位于所述第三基板的底面，以分别形成该控温流道的所述进口和所述出口。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的承载装置，其特征在于，

所述承载装置还包括设置在所述基座与所述承载盘之间的加热盘，所述加热盘的内部设有加热元件，所述加热盘用于对所述晶圆进行加热；

每个所述控温流道通入的所述控温流体均为冷却流体，以用于对所述基座进行降温。