[实用新型]承载装置及半导体工艺设备

说明书

本实用新型提供一种承载装置及半导体工艺设备，其中，承载装置，包括基座和设置在基座上的承载盘，其中，承载盘用于承载晶圆，基座的内部设有多个控温流道，多个控温流道相互独立以能够分别通入控温流体，多个控温流道沿基座的厚度方向间隔布置，且多个控温流道在基座的顶面上的投影至少部分重叠；每相邻的两个控温流道沿基座的厚度方向具有预设间距，每相邻的两个控温流道通入的控温流体的温度差不大于预设阈值且控温流体的流动方向相反。在多个控温流道中，每相邻的两个控温流道之间均存在类似上述的温度补偿作用，从而有利于提高基座整体的温度均匀性，进而提高承载盘的温度均匀性，保证晶圆的温度均匀性，提高工艺效果、提升工艺水平。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体地，涉及一种承载装置及半导体工艺设备。

背景技术

目前，在半导体工艺设备(例如半导体刻蚀设备)中，承载装置主要用于对晶圆进行承载、固定以及温度控制，是半导体工艺设备的关键部件之一。

在上述晶圆进行工艺(例如刻蚀工艺)过程中，晶圆的温度均匀性是影响工艺效果(例如刻蚀效果)的一项重要指标。一般情况下，晶圆放置于承载装置的承载面上，晶圆温度的升高和降低主要受控于承载装置通过承载面与晶圆之间的热量传递。然而，现有的承载装置经常会出现温度不均匀的现象，此时便会导致经过热量传递后晶圆的温度不均匀，从而影响工艺效果。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置及半导体工艺设备。

第一方面，本实用新型提供一种承载装置，包括基座和设置在基座上的承载盘，其中，承载盘用于承载晶圆，基座的内部设有多个控温流道，多个控温流道相互独立以能够分别通入控温流体，多个控温流道沿基座的厚度方向间隔布置，且多个控温流道在基座的顶面上的投影至少部分重叠；每相邻的两个控温流道沿基座的厚度方向具有预设间距，每相邻的两个控温流道通入的控温流体的温度差不大于预设阈值且控温流体的流动方向相反。

进一步地，预设阈值为0.5℃。

进一步地，每相邻的两个控温流道通入的控温流体的温度相同。

进一步地，每个控温流道的进口和出口均位于基座的底面上，且在相邻的两个控温流道中，任一个控温流道的进口与另一个控温流道的出口相互错开，每个控温流道均包括控温段、流入段以及流出段，其中，流入段的一端与控温段连通，流入段的另一端朝向基座的底面延伸并与相应的进口连通，流出段的一端与控温段连通，流出段的另一端朝向基座的底面延伸并与相应的出口连通，多个控温流道的控温段在基座的顶面上的至少部分投影完全重叠。

进一步地，在每个控温流道中，控温段在同一平面内进行布置，且控温段所在平面与基座的顶面平行，和/或，流入段的延伸方向与基座的顶面垂直，和/或，流出段的延伸方向与基座的顶面垂直。

进一步地，在每个控温流道中，控温段呈螺旋形且横截面呈矩形，控温段由外至内盘绕圈数为3～8圈。

进一步地，相邻的两个控温流道的控温段之间具有预设间距，预设间距小于等于15mm；和/或，在多个控温流道中，最靠近基座的顶面的控温流道的控温段与基座的顶面之间的距离大于等于3mm且小于等于4mm；和/或，在多个控温流道中，最靠近基座的底面的控温流道的控温段与基座的底面之间的距离大于等于3mm且小于等于4mm。