[实用新型]一种真空腔体测温窗自动清洁检测装置有效

专利信息
申请号: 202220413734.2 申请日: 2022-02-28
公开(公告)号: CN217358788U 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 周环宇;周立平;刘英斌;杨凯 申请(专利权)人: 山西烁科晶体有限公司
主分类号: G01K11/14 分类号: G01K11/14;G01K1/00;B08B5/02
代理公司: 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 代理人: 吴立;冷锦超
地址: 030006 山西省太*** 国省代码: 山西;14
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 空腔 测温 自动 清洁 检测 装置
【说明书】:

实用新型涉及一种真空腔体测温窗自动清洁检测装置,属于半导体晶体生长设备技术领域;包括测温窗、旋转升降系统、灰尘吹扫系统、石英片透光率检测系统;测温窗设置于真空腔体的开孔上方,旋转升降系统包括升降气缸、旋转电机,旋转电机固定设置在升降气缸的伸缩杆上端,旋转电机的输出轴与测温窗通过连接杆相连;灰尘吹扫系统设置于测温窗的一侧,包括吹扫头、吹扫底座、升降机构,吹扫头通过升降机构固定在吹扫底座上,吹扫头顶端设有套接的压缩空气管道与真空管道;石英片透光率检测系统设置于灰尘吹扫系统的一侧,包括光源接收传感器及其上方的透光率检测光源;解决了现有测温窗清洁过程耗费大量人力成本,且无法保证石英片清洁效果的问题。

技术领域

本实用新型属于半导体晶体生长设备技术领域,具体涉及一种真空腔体测温窗自动清洁检测装置。

背景技术

半导体晶体的生长过程其中一种为物理气相沉积,该方法需要在真空腔体中提供不同的温度梯度,从而达到半导体晶体由粉料到晶块的生长过程,此过程中温度梯度的控制极其重要,所以需要时刻对真空腔体内的温度进行监测。目前监测腔体内温度的方法多为在真空腔体表面进行开孔,并安装固定式测温窗,测温窗由透明石英片及固定螺帽组成,在测温窗上部安装测温计,通过测温窗和测温计实现对腔体内温度的实时监测。该方法存在的问题为,由于真空腔体内存在大量微小石墨粉,晶体生长期间大量石墨粉会附着在石英片表面,长时间使用后严重影响石英片的透光率,使测温计所监测的数值产生较大的误差。故每次长晶作业后都需对石英片进行拆解清洁,达到使用标准后再次进行安装,该过程需耗费大量人力成本,且因为人员作业手法不同,对石英片的清洁效果无法保证。

实用新型内容

本实用新型克服了现有技术的不足,提出一种真空腔体测温窗自动清洁检测装置;解决现有测温窗清洁过程耗费大量人力成本,且无法保证石英片清洁效果的问题。

为了达到上述目的,本实用新型是通过如下技术方案实现的。

一种真空腔体测温窗自动清洁检测装置,包括测温窗、旋转升降系统、灰尘吹扫系统、石英片透光率检测系统;所述测温窗设置于真空腔体的开孔上方,所述旋转升降系统包括升降气缸、旋转电机,旋转电机固定设置在升降气缸的伸缩杆上端,旋转电机的输出轴与测温窗通过水平的连接杆相连接;灰尘吹扫系统设置于测温窗的一侧,包括吹扫头、吹扫底座、升降机构,吹扫头通过升降机构固定在吹扫底座上,吹扫头的顶端设置有一个竖直的双层管道,双层管道的内部设置有相套接的压缩空气管道与真空管道;所述石英片透光率检测系统设置于灰尘吹扫系统的一侧,包括光源接收传感器及其上方的透光率检测光源。

进一步的,所述双层管道与旋转电机输出轴之间的距离等于测温窗与旋转电机输出轴之间的距离;所述光源接收传感器与旋转电机输出轴之间的距离等于测温窗与旋转电机输出轴之间的距离。

进一步的,真空腔体的开孔的开口上边缘设置有O型密封圈。

进一步的,测温窗的下端设置有测温窗底座,所述测温窗底座为圆柱体结构,测温窗底座设置于开孔的上方并且与开孔同轴设置;测温窗底座的内部为中空结构,下端为开口结构,上端与测温窗相连通。

进一步的,所述升降气缸设置于真空腔体的上表面外侧并且位于开孔的一侧,升降气缸的缸底一端固定连接在真空腔体的上表面上,升降气缸的伸缩杆一端竖直向上设置。

进一步的,升降气缸的一侧设置有旋转电机支架,旋转电机支架的下端固定设置在真空腔体的上表面上,旋转电机支架靠近旋转电机的一侧侧面上设置有竖直的滑槽,所述旋转电机的侧面上设置有滑杆,滑杆远离旋转电机的一端滑动连接在旋转电机支架的滑槽内。

进一步的,所述吹扫底座为上端面开有凹槽的圆柱体结构,吹扫底座固定设置在真空腔体的上表面上,吹扫底座上端面的凹槽为圆柱形凹槽,凹槽内部插接有吹扫头,所述吹扫头在凹槽内部上下滑动。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西烁科晶体有限公司,未经山西烁科晶体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202220413734.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top