[实用新型]一种OLED基板有效
申请号: | 202220446767.7 | 申请日: | 2022-03-03 |
公开(公告)号: | CN216849946U | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 肖阳;陈志宽 | 申请(专利权)人: | 宁波卢米蓝新材料有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 边人洲 |
地址: | 315040 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 基板 | ||
1.一种OLED基板,其特征在于,所述OLED基板包括至少一个发光区,每个发光区外围均设置有非发光区;
所述非发光区设置有衬底基板凹槽;
所述衬底基板凹槽内设置有光阻;
所述OLED基板还包括走线;
所述走线包括并联连接的外部走线和内部走线;
以临近所述衬底基板凹槽的方向为下,所述内部走线设置于所述光阻之下。
2.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述外部走线和内部走线通过导电通孔连接。
3.根据权利要求2所述的OLED基板,其特征在于,所述导电通孔的内径为1-3μm。
4.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述衬底基板凹槽的深度为1.2-3.5μm。
5.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述衬底基板凹槽的宽度为1-3mm,所述宽度为所述衬底基板凹槽的相邻发光区的边缘与远离发光区的边缘之间的距离。
6.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述内部走线的宽度为0.2-0.5μm。
7.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述光阻的长度和宽度各自独立地为1-3μm。
8.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述外部走线包括第一外部走线、第二外部走线和第三外部走线;
所述第一外部走线与所述发光区连接;
所述第二外部走线与所述光阻连接;
所述第三外部走线与OLED基板外部的驱动IC连接端连接。
9.根据权利要求8所述的OLED基板,其特征在于,所述第一外部走线和第三外部走线通过导电通孔与内部走线电连接。
10.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述发光区设置有显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波卢米蓝新材料有限公司,未经宁波卢米蓝新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202220446767.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种防吹起透气型裙子
- 下一篇:新型原料过滤装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的