[实用新型]一种OLED基板有效
申请号: | 202220446767.7 | 申请日: | 2022-03-03 |
公开(公告)号: | CN216849946U | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 肖阳;陈志宽 | 申请(专利权)人: | 宁波卢米蓝新材料有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 边人洲 |
地址: | 315040 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 基板 | ||
本实用新型涉及一种OLED基板,所述OLED基板包括至少一个发光区,每个发光区外围均设置有非发光区;所述非发光区设置有衬底基板凹槽;所述衬底基板凹槽内设置有光阻;所述OLED基板还包括走线;所述走线包括并联连接的外部走线和内部走线;以临近所述衬底基板凹槽的方向为下,所述内部走线设置于所述光阻之下。本实用新型所述OLED基板耐切割,还可以实现窄边框。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED基板。
背景技术
在OLED基板搬运或者使用过程中,由于OLED的外部走线暴露在外面,很容易划伤脱落,从而导致器件出现显示不良的现象。同时OLED的线路电阻如果过大,将产生较大的压降,影响OLED的显示均匀性。此外,基板或面板切割时,产生裂缝从而大范围扩散导致整张基板或面板全部报废的现象也时有发生。以上这些外观不良或者功能不良都增加了OLED的生产成本。
CN109148705A公开了一种OLED基板的制备方法及OLED基板,在其公开的OLED基板的上表面上覆盖一层坡面材料层,向所述坡面材料层中加入添加剂,在基板不同区域表面上的坡面材料层内加入的添加剂比率不同,对所述坡面材料层进行固化处理,直至所述坡面材料层稳定固化并在基板表面形成一个坡面结构;所述坡面材料层固化稳定后形成的上表面积比原OLED基板的上表面积大,因此可以在所述坡面材料层上设置更多的薄膜晶体管、电容、连线等电子器件,提高屏幕的像素解析度并降低生产成本。但是其未涉及如何解决OLED基板切割不良的问题。
CN103515546A公开了一种OLED基板切割保护装置包括基台、机械手、匚型石英盖板和回风装置;所述基台用于放置OLED基板,匚型石英盖板的尺寸与切割后的OLED基板相应,用于保护OLED基板;所述匚型石英盖板包括石英导管,石英导管连接氮气源。基板切割方法主要包括步骤:a、将OLED基板转运到切割基台上并固定;b、控制机械手将石英盖板固定于OLED基板上方0.3mm~0.5mm的位置,石英盖板之间为OLED基板切割区域;c、向所述匚型石英盖板的石英导管通入氮气。有益效果在于避免了基板直接接触而对OLED基板的影响。利用其公开的方法进行OLED基板切割能够有效防止切割过程中产生的微尘对裸露的基板电极的影响。但是其公开的OLED基板自身的结构并没有进行改进。
综上所述,开发一种耐切割的OLED基板至关重要。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种OLED基板,所述OLED基板不仅耐切割,还能实现窄边框。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
第一方面,本实用新型提供一种OLED基板,所述OLED基板包括至少一个(例如2个、4个、5个、10个、15个等)发光区,每个发光区外围均设置有非发光区;
所述非发光区设置有衬底基板凹槽;
所述衬底基板凹槽内设置有光阻;
所述OLED基板还包括走线;
所述走线包括并联连接的外部走线和内部走线;
以临近所述衬底基板凹槽的方向为下,所述内部走线设置于所述光阻之下。
本实用新型中,与普通结构衬底基板相比,通过设置的内部走线,有效地降低了线阻,提高了显示的均匀性,也能够更好地进行散热,提高OLED的运行稳定性。
本实用新型中,由于内部走线设置在光阻以下,即使外部走线出现划伤或者脱落的情况,OLED器件仍然能够正常显示,减少了显示不良的发生。另外,OLED基板和面板一般都需要切割,切割时如果出现裂纹,很可能扩散至整张玻璃,从而导致整张基板或OLED面板报废,但设置凹槽以后,裂纹会终止在凹槽,保护了其他大部分的区域,降低了切割产生的不良。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的