[实用新型]一种旋转晶振转盘侦测装置

说明书

本实用新型公开了一种旋转晶振转盘侦测装置，包括真空腔体、晶振转盘、坩埚Ⅰ和坩埚Ⅱ，晶振转盘、坩埚Ⅰ和坩埚Ⅱ均位于真空腔体中，晶振转盘的侧面上设有侧面晶振片用于侦测坩埚Ⅰ的蒸发速率，晶振转盘的底面上设有平面晶振片，用于侦察坩埚Ⅱ的蒸发速率，侧面晶振片与平面晶振片垂直，当真空腔体内设置多个晶振转盘时，单个坩埚可对应两个晶振转盘，使单个坩埚对应的侦测晶振片的数量增多。通过改变晶振片的排布方式，提高单个坩埚对应的侦测晶振片的数量，解决现有技术中，由于单个坩埚对应侦测的晶振片数量少，影响坩埚内材料不能充分利用，增加了停机保养和加装晶振片次数的问题。

技术领域

本实用新型属于OLED显示技术领域，具体涉及一种旋转晶振转盘侦测装置。

背景技术

在蒸镀设备中，镀膜过程中需要晶振片实时侦测材料的蒸发速率来控制膜厚的均匀性，对晶振片的消耗非常大。如果晶振片数量充足，可以实现坩埚内的材料加到最大容量的2/3，同时，坩埚内材料耗尽，也可继续给坩埚加料继续生产，无需对设备停机保养花费时间，大大提高生产效率。

在实际生产中，真空设备腔体内有多个坩埚，且一个坩埚对应一个晶振转盘装置，由于控制晶振转盘装置的空间不大，安装的晶振片数量有限，就会出现晶振片耗尽了，坩埚内材料还有剩余的现象，如果要加装晶振片，就需要对设备停机保养和光学材料验证，长此以往停机保养的次数就会增加，花费大量时间且影响生产效益。

实用新型内容

针对现有技术中存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种结构简单、使用方便的旋转晶振转盘侦测装置，通过改变晶振片的排布方式，提高单个坩埚对应的侦测晶振片的数量，解决现有技术中，由于单个坩埚对应侦测的晶振片数量少，影响坩埚内材料不能充分利用，增加了停机保养和加装晶振片次数的问题。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案为：一种旋转晶振转盘侦测装置，包括真空腔体、晶振转盘、坩埚Ⅰ和坩埚Ⅱ，晶振转盘、坩埚Ⅰ和坩埚Ⅱ均位于真空腔体中，晶振转盘的侧面上设有侧面晶振片用于侦测坩埚Ⅰ的蒸发速率，晶振转盘的底面上设有平面晶振片，用于侦察坩埚Ⅱ的蒸发速率，侧面晶振片与平面晶振片垂直。

进一步的，所述侦测装置还包括设置在晶振转盘外侧的罩壳、准直管Ⅰ和准直管Ⅱ，罩壳的侧面上设有使侧面晶振片露出的开口Ⅰ，罩壳的侧面上设有使平面晶振片露出的开口Ⅱ，准直管Ⅰ的一端与开口Ⅰ连通，准直管Ⅰ的另一端对准坩埚Ⅰ，准直管Ⅱ的一端与开口Ⅱ连通，准直管Ⅱ的另一端对准坩埚Ⅱ。

进一步的，所述开口Ⅰ的大小与一个侧面晶振片的大小一致，开口Ⅱ的大小与一个平面晶振片的大小一致，晶振转盘通过电机驱动在罩壳中转动。

进一步的，所述晶振转盘设置在坩埚Ⅰ和坩埚Ⅱ的上方，且位于坩埚Ⅰ与坩埚Ⅱ之间，晶振转盘与坩埚Ⅰ和坩埚Ⅱ连线构成直角三角形结构，晶振转盘位于两直角边的交点，坩埚Ⅰ和坩埚Ⅱ分别位于斜边的两端点处。

进一步的，所述晶振转盘包括晶振片载盘、晶振片信号通道载盘、数据处理器和基座，数据处理器安装在基座上，晶振片信号通道载盘的一端与数据处理器连接，晶振片信号通道载盘的另一端与晶振片载盘连接，基座连接在电机的输出轴上，电机带动基座转动进而驱动晶振转盘转动并控制晶振转盘转动角度。

进一步的，所述晶振转盘还包括固定螺栓和细杆螺丝，晶振片载盘与晶振片信号通道载盘通过细杆螺丝紧固连接在一起，晶振片信号通道载盘和数据处理器均设有与固定螺栓配合的安装孔，晶振片信号通道载盘和数据处理器通过固定螺栓与安装孔配合紧固连接在一起。

进一步的，所述晶振片载盘上远离晶振片信号通道载盘一端的端面上设有平面晶振片安装孔，晶振片载盘的侧面上设有侧面晶振片安装孔，平面晶振片插接在平面晶振片安装孔中，侧面晶振片插接在侧面晶振片安装孔中。