[实用新型]一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片有效
| 申请号： | 202220559379.X | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN216902937U | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张曼;黄浩玮;刘华龙 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 对准 标记 图形 结构 半导体 晶片 | ||
1.一种光刻对准标记图形结构，其特征在于，包括：
多个连接凹槽，设于晶圆表面；
多个折弯凹槽，设于所述晶圆表面；
其中，相邻两个所述连接凹槽之间通过所述折弯凹槽相连，且在所述连接凹槽与所述折弯凹槽的连接处，所述连接凹槽的宽度大于所述折弯凹槽的宽度。
2.根据权利要求1所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述连接凹槽与所述折弯凹槽相连后，以形成一个封闭结构。
3.根据权利要求2所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述封闭结构的形状为矩形。
4.根据权利要求1所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述连接凹槽包括依次相连的第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽以及第四凹槽，其中，所述第四凹槽的一端与所述第一凹槽的一端相连。
5.根据权利要求4所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述折弯凹槽包括：
第一折弯沟槽，连接于所述第一凹槽与所述第二凹槽之间；以及
第二折弯沟槽，连接于所述第二凹槽与所述第三凹槽之间。
6.根据权利要求5所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述折弯凹槽还包括：
第三折弯沟槽，连接于所述第三凹槽与所述第四凹槽之间；以及
第四折弯沟槽，连接于所述第四凹槽与所述第一凹槽之间。
7.根据权利要求5所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述第一折弯沟槽与第二折弯沟槽为L形槽。
8.根据权利要求5所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述第一折弯沟槽包括：
第一连接沟槽，与所述第一凹槽相连；以及
第二连接沟槽，其一端与所述第一连接沟槽相连，另一端与所述第二凹槽相连。
9.根据权利要求8所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述第一连接沟槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度，所述第二连接沟槽的宽度小于所述第二凹槽的宽度。
10.一种半导体晶片，其特征在于，包括：
晶圆；
光刻对准标记图形结构，设于所述晶圆表面；以及
外延层，覆盖于所述晶圆与所述光刻对准标记图形结构上；
其中，所述光刻对准标记图形结构包括
多个连接凹槽，设于晶圆表面；
多个折弯凹槽，设于所述晶圆表面；
其中，相邻两个所述连接凹槽之间通过所述折弯凹槽相连，且在所述连接凹槽与所述折弯凹槽的连接处，所述连接凹槽的宽度大于所述折弯凹槽的宽度。
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