[实用新型]一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片

说明书

本实用新型提供一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，所述光刻对准标记图形结构包括多个连接凹槽，设于晶表面；多个折弯凹槽，设于所述晶圆表面；其中，相邻两个所述连接凹槽之间通过所述折弯凹槽相连，且在所述连接凹槽与所述折弯凹槽的连接处，所述连接凹槽的宽度大于所述折弯凹槽的宽度。通过本实用新型公开的一种光刻对准标记图形结构，能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变。

技术领域

本实用新型涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片。

背景技术

光刻对准标记结构是用来定义光罩与晶圆之间的位置与方向，在晶圆的制造过程中起到关键的作用。在高压或者大功率器件制备中，一般采用外延层生长技术来达到需求，而在外延生长过程中，温度或者外延生长速率都会影响光刻对准标记结构产生形变，轮廓失真，从而产生轮廓畸变。而光刻对准标记结构出现轮廓畸变时，会严重影响对准精度，从而影响产品的质量。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，本实用新型能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变，从而提高对准精度。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种光刻对准标记图形结构，包括：

多个连接凹槽，设于晶圆表面；

多个折弯凹槽，设于所述晶圆表面；

其中，相邻两个所述连接凹槽之间通过所述折弯凹槽相连，且在所述连接凹槽与所述折弯凹槽的连接处，所述连接凹槽的宽度大于所述折弯凹槽的宽度。

在本实用新型一实施例中，所述连接凹槽与所述折弯凹槽相连后，以形成一个封闭结构。

在本实用新型一实施例中，所述封闭结构的形状为矩形。

在本实用新型一实施例中，所述连接沟槽包括依次相连的第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽以及第四凹槽，其中，所述第四凹槽的一端与所述第一凹槽的一端相连。

在本实用新型一实施例中，所述折弯沟槽包括：

第一折弯沟槽，连接于所述第一凹槽与所述第二凹槽之间；以及

第二折弯沟槽，连接于所述第二凹槽与所述第三凹槽之间。

在本实用新型一实施例中，所述折弯沟槽还包括：

第三折弯沟槽，连接于所述第三凹槽与所述第四凹槽之间；以及

第四折弯沟槽，连接于所述第四凹槽与所述第一凹槽之间。

在本实用新型一实施例中，所述第一折弯沟槽与第二折弯沟槽为L形槽。

在本实用新型一实施例中，所述第一折弯沟槽包括：

第一连接沟槽，与所述第一凹槽相连；以及

第二连接沟槽，其一端与所述第一连接沟槽相连，另一端与所述第二凹槽相连。

在本实用新型一实施例中，所述第一连接沟槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度，所述所述第二连接沟槽的宽度小于所述第二凹槽的宽度。

本实用新型还提供一种半导体晶片，包括：

晶圆；

光刻对准标记图形结构，设于所述晶圆表面；以及

外延层，覆盖于所述晶圆与所述光刻对准标记图形结构上；

其中，所述光刻对准标记图形结构包括

多个连接凹槽，设于晶圆表面；

多个折弯凹槽，设于所述晶圆表面；