[实用新型]一种新型LTPO背板结构有效
| 申请号： | 202220638458.X | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN217507335U | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 杨远直;罗敬凯;贾浩 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 ltpo 背板 结构 | ||
1.一种新型LTPO背板结构，其特征在于：包括低温多晶硅半导体层，所述低温多晶硅半导体层上设有绝缘层和第一层金属栅极，所述绝缘层将第一层金属栅极和低温多晶硅半导体层隔开，所述绝缘层和第一层金属栅极外设有第一层钝化层，所述第一层钝化层上设有第二层金属，所述第二层金属与第一层金属栅极相连，所述第二层金属外设有第二层钝化层，所述第二层钝化层上设有第三层金属，所述第三层金属与第二层金属通过第二层钝化层形成像素驱动电路的储存电容，所述第三层金属上设有第三层钝化层，所述第三层钝化层上镀膜形成金属氧化物半导体，所述金属氧化物半导体上设有绝缘层和第四层金属栅极，所述绝缘层将第四层金属栅极与金属氧化物半导体隔开，所述第四层金属栅极和金属氧化物半导体上设有第四层钝化层，所述第四层钝化层上设有第五层金属，所述第五层金属和第二层金属相连，所述第五层金属上设有有机平坦层，所述有机平坦层上设有阳极金属层，所述阳极金属层与第三层金属相连，所述阳极金属层上设有开口。
2.根据权利要求1所述的一种新型LTPO背板结构，其特征在于：所述第一层钝化层上设有贯穿第一层绝缘层的洞，所述第二层金属通过贯穿第一层绝缘层的洞与第一层金属栅极相连。
3.根据权利要求2所述的一种新型LTPO背板结构，其特征在于：所述第二层钝化层上设有贯穿第二层绝缘层的洞，所述第三层金属通过贯穿第二层绝缘层的洞与驱动TFT的Drain和Source极相连。
4.根据权利要求3所述的一种新型LTPO背板结构，其特征在于：所述第四层钝化层上设有贯穿第四层绝缘层的洞，所述第五层金属通过贯穿第四层绝缘层的洞与第二层金属相连。
5.根据权利要求4所述的一种新型LTPO背板结构，其特征在于：所述有机平坦层上设有有机平坦层洞，所述阳极金属层通过有机平坦层洞与第三层金属相连。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
