[实用新型]一种新型LTPO背板结构

说明书

本实用新型公开了一种新型LTPO背板结构，包括低温多晶硅半导体层，所述低温多晶硅半导体层上设有绝缘层和第一层金属栅极，所述绝缘层将第一层金属栅极和低温多晶硅半导体层隔开，所述绝缘层和第一层金属栅极外设有第一层钝化层，所述第一层钝化层上设有第二层金属，所述第二层金属与第一层金属栅极相连，所述第二层金属外设有第二层钝化层，所述第二层钝化层上设有第三层金属，所述第三层金属与第二层金属通过第二层钝化层形成像素驱动电路的储存电容，所述第三层金属上设有第三层钝化层，所述第三层钝化层上镀膜形成金属氧化物半导体，本实用新型属于背板技术领域，具体是指一种新型LTPO背板结构，功耗低稳定性好。

技术领域

本实用新型属于背板技术领域，具体是指一种新型LTPO背板结构。

背景技术

目前市面上的中小尺寸OLED面板，背板主要使用LTPS(低温多晶硅) 与IGZO(氧化镓锌铟)两种技术。

使用LTPS背板结构的OLED面板具有较大的电子迁移率和开口率，可以实现较高的分辨率。虽然LTPS结构的开态电流较大，但是漏电流也大，需要不断充电维持电容电位，导致功耗较高和无法低频驱动。

使用IGZO背板结构的OLED面板与非晶硅基板工艺相似，生产成本较 LTPS背板结构低，但是IGZO迁移率较LTPS低，TFT尺寸更大，使得分辨率也较低；并且IGZO的性质不稳定，在空气中易氧化，面板使用寿命较低。

实用新型内容

为了解决上述难题，本实用新型提供了一种新型LTPO背板结构，该结构将背板分为双层结构，底层为顶栅结构的驱动TFT，采用LTPS作为半导体；顶层为顶栅结构的开关TFT，使用IGZO作为半导体，这种结构结合LTPS电子迁移率高和IGZO漏电流小的优点，使面板的功耗更低、稳定性更好，且能实现面板低频刷新显示。

为了实现上述功能模，本实用新型采取的技术方案如下：一种新型LTPO 背板结构，包括低温多晶硅半导体层，基板上通过ELA(准分子激光退火)工艺形成低温多晶硅半导体层，所述低温多晶硅半导体层上设有绝缘层和第一层金属栅极，所述绝缘层将第一层金属栅极和低温多晶硅半导体层隔开，所述绝缘层和第一层金属栅极外设有第一层钝化层，所述第一层钝化层上设有第二层金属，所述第二层金属与第一层金属栅极相连，所述第二层金属外设有第二层钝化层，所述第二层钝化层上设有第三层金属，所述第三层金属(电压讯号)与第二层金属通过第二层钝化层形成像素驱动电路的储存电容，所述第三层金属上设有第三层钝化层，所述第三层钝化层上镀膜形成金属氧化物半导体，所述金属氧化物半导体上设有绝缘层和第四层金属栅极，所述绝缘层将第四层金属栅极与金属氧化物半导体隔开，扫描讯号通过第四层金属送入，所述第四层金属栅极和金属氧化物半导体上设有第四层钝化层，所述第四层钝化层上设有第五层金属，所述第五层金属和第二层金属相连，第五层金属作为开关TFT的 Source、Drain极和第二层金属相连，将数据讯号送到驱动TFT的第一层金属栅极并存储在储存电容中，所述第五层金属上设有有机平坦层，所述有机平坦层上设有阳极金属层，所述阳极金属层与第三层金属相连，接收正电压电流讯号，所述有机平坦层上设有画素定义层，所述阳极金属层上设有开口。

其中，所述第一层钝化层上设有贯穿第一层绝缘层的洞，所述第二层金属通过贯穿第一层绝缘层的洞与第一层金属栅极相连。

进一步地，所述第二层钝化层上设有贯穿第二层绝缘层的洞，所述第三层金属通过贯穿第二层绝缘层的洞与驱动TFT的Drain和Source极相连。

优选地，所述第四层钝化层上设有贯穿第四层绝缘层的洞，所述第五层金属通过贯穿第四层绝缘层的洞与第二层金属相连。

其中，所述有机平坦层上设有有机平坦层洞，所述阳极金属层通过有机平坦层洞与第三层金属相连。