[实用新型]防漏散热的改良结构

说明书

本实用新型提供一种防漏散热的改良结构，包括第一背胶层、绝缘贴片、固定层、高导热系数材料层与散热器。第一背胶层中间区域为第一开口，第一背胶层贴合于芯片本体上且热源穿透于第一开口。绝缘贴片中间区域为第二孔洞开口，绝缘贴片贴合于第一背胶层之上且热源穿透于孔洞开口。固定层中间区域为第二孔洞开口，固定层贴合于绝缘贴片之上，固定层的内部两侧各具有一第一凹槽空间。高导热系数材料层设置于第二孔洞开口之内且其下表面的中间区域贴合，高导热系数材料层的上表面与固定层的上表面平行。散热器的部分贴合于该第二背胶层，且其底部具有复数个储存凹槽。

技术领域

本实用新型涉及一种散热结构，尤其涉及一种防漏散热的改良结构。

背景技术

目前常见的各式电子组件均朝向微型化方向研发设计，然而各式电子组件因缩小化及效能大幅提升等诸多因素，也伴随着容易于实际运作过程中产生高热，影响整体运作效能。因此，必须利用现有微均温板进行散热。

现有电子装置的散热结构由散热片设置于电子组件上，再利用风扇单元导引气流至机壳外部。但由于机壳内部的各组件排列紧密，发热源散发的热量无法有效地往外排出，造成机壳内部产生温升效应，加上热量不断累积的恶性循环下，若机壳内部的温度无法保持在正常范围，会影响整个电子装置运作的可靠度及使用寿命，且会造成漏电的问题与超频时温度过高的问题。此外，为提高较好的散热效率,需使用较高导热系数的高导热系数材料层，但高导热系数材料层相变时外溢会导致主板短路问题，且热源发热位置不均匀也会造成的散热不稳定现象。

此外，在逐步进入后摩尔定律时代后，晶圆代工大厂的发展重心，也逐渐从过去追求更先进纳米制程，转向封装技术的创新。由于高度性能计算(high-performancecomputing,HPC)芯片的需求正在急遽增加，因此，数据中心和云端计算基础架构变得至关重要，尤其是可支持新的高性能技术的AI和5G设备。但这些设备面临的挑战是，该设备及其多核心架构的高效能，将会附带有高宽带密度和低延迟的问题。而异质整合成为HPC芯片需求飙升的因素，并为 3DIC封装技术打开崭新的一页。硅通孔技术(TSV)实现Die与Die间的垂直互连，通过在Si上打通孔进行芯片间的互连，无需引线键合，有效缩短互联机长度，减少信号传输延迟和损失，提高信号速度和带宽，降低功耗和封装体积，是实现多功能、高性能、高可靠性且更轻、更薄、更小的芯片系统级封装。由于3D TSV封装工艺在设计、量产、测试及供应链等方面还不成熟，且工艺成本较高，且3D TSV封装技术的内部封装的问题会使高导热材料层产生泵出(Pump out)现象，进而影响芯片的整体效能。

因此，如何解决上述现有技术的问题与缺失，即为相关业者所亟欲研发的课题所在。

实用新型内容

本实用新型的目的是在于解决高导热接口材料(Thermal Interface Material)因为无黏性或低黏度,容易发生溢流或泵出(pump out)的现象发生，而提出一种防漏散热的改良结构，能够防漏且散热。

本实用新型提供一种防漏散热的改良结构，用于对一芯片本体上的一热源进行散热，防漏散热的改良结构包括第一背胶层、绝缘贴片、固定层与高导热系数材料层。第一背胶层，其中间区域为一第一开口，第一背胶层贴合于芯片本体上且热源穿透于第一开口。绝缘贴片，其中间区域为一第二孔洞开口，绝缘贴片贴合于第一背胶层之上且热源穿透于第一孔洞开口。固定层，其中间区域为第二孔洞开口，固定层贴合于绝缘贴片之上且热源位于第二孔洞开口之内，其中该固定层的内部两侧各具有一第一凹槽空间。高导热系数材料层，其设置于第二孔洞开口之内且高导热系数材料层的下表面的中间区域贴合且覆盖至热源的上方，其中高导热系数材料层的上表面与固定层的上表面平行。散热器的部分贴合于一第二背胶层且其底部的部分下表面接触于该高导热系数材料层的上表面，其中散热器的底部具有复数个储存凹槽，且储存凹槽的深度为 0.001～0.15毫米。

在本实用新型的一实施例中，防漏散热的改良结构，该第二背胶层的中间区域为一第二开口，该第二背胶层贴合于该固定层之上且该高导热系数材料层的上表面贴合于该第二开口的上表面。