[实用新型]薄膜晶体管结构和用于OLED显示装置的驱动晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管层叠设置；

所述第一晶体管为垂直结构晶体管；

所述第一晶体管的漏极层作为所述第二晶体管的栅极层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，

所述薄膜晶体管结构包括衬底，所述第一晶体管和所述第二晶体管层叠设置于所述衬底上；

所述第一晶体管包括第一源极层、第一漏极层；

所述第一源极层和所述第一漏极层的延伸方向相同，且两者不同层设置；

所述第一晶体管还包括第一栅极层，所述第一栅极层的延伸方向在所述衬底上的投影垂直于所述第一源极层的延伸方向在所述衬底上的投影，且垂直于所述第一漏极层延伸方向在所述衬底上的投影；

所述第一漏极层为网络状薄膜电极层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，

所述第一晶体管还包括：

第一栅极介电层，所述第一栅极介电层位于所述衬底上，包覆所述第一栅极层，所述第一源极层/所述第一漏极层位于所述第一栅极介电层背向所述衬底一侧表面；

第一半导体层，所述第一半导体层位于所述第一源极层和所述第一漏极层之间。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，

所述第一源极层的材料选自：铜、金、石墨烯、碳纳米管或导电聚合物中的一种；

所述第一漏极层的材料选自：铜、金、石墨烯或导电聚合物中的一种；

所述第一栅极层的材料选自：铜、金、石墨烯或导电聚合物中的一种；

所述第一栅极介电层的材料选自：氧化硅、氮化硅或全氟树脂中的一种；

所述第一半导体层的材料包括有机半导体，所述有机半导体包括有机聚合物半导体和有机小分子半导体。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，

所述第二晶体管包括第二源极层、第二漏极层；

所述第二源极层和所述第二漏极层的延伸方向相同，且两者同层设置；

所述第二晶体管包括第二栅极层，所述第二栅极层为所述第一源极层/所述第一漏极层两者中相对位置较高者。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，

所述第二源极层和所述第二漏极层的延伸方向相同；

所述第二栅极层的延伸方向在所述衬底上的投影垂直于所述第二源极层的延伸方向在所述衬底上的投影，且垂直于所述第二漏极层延伸方向在所述衬底上的投影。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，

所述第二晶体管还包括：

第二栅极介电层，所述第二栅极介电层位于所述第二栅极层背向所述衬底一侧表面；

第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第二栅极介电层背向所述衬底一侧表面；所述第二源极层和所述第二漏极层位于所述第二半导体层背向所述衬底一侧表面。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，

所述第二源极层的材料选自：铜、金、石墨烯或导电聚合物中的一种；

所述第二漏极层的材料选自：铜、金、石墨烯或导电聚合物中的一种；

所述第二栅极介电层的材料选自：氧化硅、氮化硅或全氟树脂中的一种；

所述第二半导体层的材料包括有机半导体、无机半导体和金属氧化物混合物；所述有机半导体包括：有机聚合物半导体和有机小分子半导体；所述无机半导体包括硅基半导体。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，还包括：

阻挡层，所述阻挡层位于所述衬底一侧表面，所述第一栅极层和所述第一栅极介电层位于所述阻挡层背向所述衬底一侧表面；

封装层，所述封装层位于所述第二半导体层背向所述衬底一侧，且包覆所述第二源极层和所述第二漏极层。

10.一种用于OLED显示装置的驱动晶体管，其特征在于，

包括如权利要求1～9中任一项所述的薄膜晶体管结构；

所述薄膜晶体管结构的第一晶体管适于连接所述OLED显示装置的驱动线和扫描线，所述薄膜晶体管结构的第二晶体管适于连接供电电源和接地。