[实用新型]薄膜晶体管结构和用于OLED显示装置的驱动晶体管

说明书

本实用新型提供一种薄膜晶体管结构和用于OLED显示装置的驱动晶体管。薄膜晶体管结构包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管层叠设置；第一晶体管为垂直结构晶体管；第一晶体管的漏极层作为第二晶体管的栅极层。以解决常规的薄膜晶体管难以满足高度微型化、集成化的需求的问题。

技术领域

本实用新型涉及OLED显示驱动技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管结构和用于OLED显示装置的驱动晶体管。

背景技术

随着OLED技术的开发和普及，显示装置的小型化、微型化需求越来越高，例如可穿戴式微型显示器，如VR头盔、VR眼镜等，对显示装置中的器件和电路的微型化和集成化有着极高的要求。同时随着功能和显示效果的需求的提升，显示装置的驱动结构对显示装置的微型化、集成化也有着关键的影响。常规的薄膜晶体管(TFT)驱动结构，尽管有着尺寸小、集成度高的优势，但是，对于越来越高的微型化需求，用于驱动的薄膜晶体管的水平尺寸相应需要提高，这与高度微型化、集成化的需求相悖。因此通常的薄膜晶体管的排布方式难以满足需求，需要一种能够满足高度微型化、集成化的驱动方式。

实用新型内容

因此，本实用新型提供一种薄膜晶体管结构和用于OLED显示装置的驱动晶体管，以解决常规的薄膜晶体管难以满足高度微型化、集成化的需求的问题。

本实用新型提供一种薄膜晶体管结构，包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管层叠设置；第一晶体管为垂直结构晶体管；第一晶体管的漏极层作为第二晶体管的栅极层。

可选的，薄膜晶体管结构包括衬底，第一晶体管和第二晶体管层叠设置于衬底上；第一晶体管包括第一源极层、第一漏极层；第一源极层和第一漏极层的延伸方向相同，且两者不同层设置；第一晶体管还包括第一栅极层，第一栅极层的延伸方向在衬底上的投影垂直于第一源极层的延伸方向在衬底上的投影，且垂直于第一漏极层延伸方向在衬底上的投影；所述第一漏极层为网络状薄膜电极层。

可选的，第一晶体管还包括：第一栅极介电层，第一栅极介电层位于衬底上，包覆第一栅极层，第一源极层/第一漏极层位于第一栅极介电层背向衬底一侧表面；第一半导体层，第一半导体层位于第一源极层和第一漏极层之间。

可选的，第一源极层的材料选自：铜、金、石墨烯、碳纳米管或导电聚合物中的一种；第一漏极层的材料选自：铜、金、石墨烯或导电聚合物中的一种；第一栅极层的材料选自：铜、金、石墨烯或导电聚合物中的一种；第一栅极介电层的材料选自：氧化硅、氮化硅或全氟树脂中的一种；第一半导体层的材料包括有机半导体，所述有机半导体包括有机聚合物半导体和有机小分子半导体。

可选的，第二晶体管包括第二源极层、第二漏极层；第二源极层和第二漏极层的延伸方向相同，且两者同层设置；第二晶体管包括第二栅极层，第二栅极层为第一源极层/第一漏极层两者中相对位置较高者。

可选的，第二源极层和第二漏极层的延伸方向相同；第二栅极层的延伸方向在衬底上的投影垂直于第二源极层的延伸方向在衬底上的投影，且垂直于第二漏极层延伸方向在衬底上的投影。

可选的，第二晶体管还包括：第二栅极介电层，第二栅极介电层位于第二栅极层背向衬底一侧表面；第二半导体层，第二半导体层位于第二栅极介电层背向衬底一侧表面；第二源极层和第二漏极层位于第二半导体层背向衬底一侧表面。

可选的，第二源极层的材料选自：铜、金、石墨烯或导电聚合物中的一种；第二漏极层的材料选自：铜、金、石墨烯或导电聚合物中的一种；第二栅极介电层的材料选自：氧化硅、氮化硅或全氟树脂中的一种；第二半导体层的材料包括有机半导体、无机半导体和金属氧化物混合物；所述有机半导体包括：有机聚合物半导体和有机小分子半导体；所述无机半导体包括硅基半导体。

可选的，薄膜晶体管结构还包括：阻挡层，阻挡层位于衬底一侧表面，第一栅极层和第一栅极介电层位于阻挡层背向衬底一侧表面；封装层，封装层位于第二半导体层背向衬底一侧，且包覆第二源极层和第二漏极层。