[实用新型]一种硅片研磨装置

说明书

本实用新型公开了一种硅片研磨装置，该硅片研磨装置包括：工作台，所述工作台包括用于承载硅片的第一承载部和第二承载部；设置在所述工作台上的加工空间，所述加工空间内设置有在配合位置与远离位置之间转化的挡板，所述挡板在所述配合位置中将所述加工空间分割为研磨腔室和预备腔室；设置在所述研磨腔室中的研磨器，所述研磨器通过旋转对所述硅片进行加工。通过上述挡板隔断研磨腔室和预备腔室，阻挡废水、硅料残渣溢向预备腔室，避免了各自腔室内的加工相互影响，防止对预备腔室内的承载部和硅片造成二次污染。

技术领域

本实用新型涉及研磨装置领域，尤其涉及一种硅片研磨装置。

背景技术

硅片的研磨工艺，在半导体领域十分常见，其主要有两个应用方面，一是芯片制造完成后，将厚度多余的背面研磨减薄，去掉不用的部分以利于后续封装测试工艺；二是晶圆制作过程中，为提高硅片表面状态，增大平坦度，对硅片进行打磨，以利于后续抛光工艺进行。晶圆的研磨部件主要有卡合式工作台、研磨部件、测厚部件和冷却单元构成。现在常用的精研磨设备，多采用一主轴二载台或二主轴四载台的设计，研磨过程一用一备，研磨结束，相互交替，以此来提高设备生产效率。然而上述现有技术中的晶圆的研磨部件存在如下问题:伴随着研磨过程会有研磨废水、硅粉残渣等从此硅片研磨处向硅片预备处外溢，造成对硅片预备处的研磨载台或者待磨硅片的二次污染，容易产生凹陷(Dimple)、水渍或者其他研磨瑕疵。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型实施例期望提供一种硅片研磨装置，通过硅片研磨装置能够防止研磨废水、硅粉残渣等从此硅片研磨处向硅片预备处外溢。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种硅片研磨装置，所述研磨装置包括：工作台，所述工作台包括用于承载所述硅片的第一承载部和第二承载部；设置在所述工作台上的加工空间，所述加工空间内设置有在配合位置与远离位置之间转化的挡板，所述挡板在所述配合位置中将所述加工空间分割为研磨腔室和预备腔室；设置在所述研磨腔室中的研磨器，所述研磨器通过旋转对所述硅片进行加工；其中，当所述挡板在所述配合位置时，所述第一承载部处于所述研磨腔室内并且与所述研磨器沿中心轴线对准，所述第二承载部处于所述预备腔室内，当所述挡板处于远离位置时，所述第一承载部和所述第二承载部能够更换位置，并且当所述第一承载部和所述第二承载部中的一者处于所述研磨腔室内时所述第一承载部和所述第二承载部中的另一者处于所述预备腔室内。

本实用新型实施例提供了一种硅片研磨装置，其通过在配合位置将工作空间分割成研磨腔室和预备腔室的挡板解决了在研磨过程中无法较好地阻挡研磨液、晶圆碎片等飞溅的问题，从而实现了降低晶圆缺陷、降低保养成本，延长设备的使用寿命的效果。

附图说明

图1为根据本实用新型的实施例的一种硅片研磨装置中挡板处于配合位置的示意图；

图2为根据本实用新型的实施例的一种硅片研磨装置中挡板处于远离位置的示意图；

图3为根据本实用新型的实施例的挡板的结构的示意图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。