[实用新型]一种LDO稳压芯片的频率补偿电路

权利要求书

1.一种LDO稳压芯片的频率补偿电路，其特征在于：包括第一级放大电路、第二级放大电路、反馈模块、功率管、米勒补偿通路模块、负载变化检测模块和逻辑控制单元，所述第一级放大电路的输出端、第二级放大电路的输入端和米勒补偿通路模块的第一端相连，所述第二级放大电路的输出端、功率管的栅极和米勒补偿通路模块的第二端相连，所述功率管的漏极与反馈模块的第一端相连，所述负载变化检测模块的输出端与逻辑控制单元的输入端连接，所述逻辑控制单元的输出端与米勒补偿通路模块的第三端连接，所述反馈模块的第二端、第一级放大电路的反相输入端和负载变化检测模块的输入端连接。

2.根据权利要求1所述一种LDO稳压芯片的频率补偿电路，其特征在于：所述米勒补偿通路模块包括多条支路，各支路上均设有电阻、电容和开关管，各支路电阻的第一端均与第二级放大电路的输入端连接，所述电阻的第二端与电容的第一端连接，所述电容的第二端与开关管的第一端连接，所述开关管的第二端、第二级放大电路的输出端和功率管的栅极相连。

3.根据权利要求2所述一种LDO稳压芯片的频率补偿电路，其特征在于：所述反馈模块包括第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述第一反馈电阻的第一端与功率管的漏极连接，所述第一反馈电阻的第二端、第二反馈电阻的第一端、负载变化检测模块的第一端和第一级放大电路的反相输入端连接，所述第二反馈电阻的第二端接地。

4.根据权利要求3所述一种LDO稳压芯片的频率补偿电路，其特征在于：所述开关管采用N型MOS管，所述逻辑控制单元的输出端与N型MOS管的栅极连接，所述N型MOS管的源极与米勒补偿通路模块的电容的第二端连接，所述N型MOS管的漏极、第二级放大电路的输出端和功率管的栅极相连。

5.根据权利要求4所述一种LDO稳压芯片的频率补偿电路，其特征在于：所述负载变化检测模块，包括电压比较器、计数器，所述电压比较器的同相输入端、第一反馈电阻的第二端、第二反馈电阻的第一端和第一级放大电路的反相输入端连接，所述电压比较器的输出端与计数器的输入端连接，所述计数器的输出端与逻辑控制单元的输入端连接。

6.根据权利要求5所述一种LDO稳压芯片的频率补偿电路，其特征在于：所述第一级放大电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管，所述第一晶体管为P型MOS管，所述第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管为N型MOS管，所述第一晶体管的源极接电源，所述第一晶体管的栅极与第二级放大电路连接，所述第一晶体管的漏极、第二晶体管的源极和第三晶体管的源极相连，所述第二晶体管的栅极、第一反馈电阻的第二端和电压比较器的同相输入端相连，所述第二晶体管的漏极、第四晶体管的栅极和第四晶体管的漏极相连，所述第三晶体管的漏极、第五晶体管的漏极和第二级放大电路相连，所述第四晶体管的源极与第五晶体管的源极均接地。

7.根据权利要求6所述一种LDO稳压芯片的频率补偿电路，其特征在于：所述第二级放大电路包括第六晶体管和第七晶体管，所述第六晶体管为N型MOS管，所述第七晶体管为P型MOS管，所述第六晶体管的源极接地，所述第六晶体管的栅极、第三晶体管的漏极和第五晶体管的漏极相连，所述第六晶体管的漏极与第七晶体管的漏极连接，所述第七晶体管的源极接电源，所述第七晶体管的栅极与第一晶体管的栅极连接。