[实用新型]一种LDO稳压芯片的频率补偿电路

说明书

本实用新型公开了一种LDO稳压芯片的频率补偿电路，包括第一级放大电路、第二级放大电路、反馈模块、功率管、米勒补偿通路模块、负载变化检测模块和逻辑控制单元，所述第一级放大电路的输出端、第二级放大电路的输入端和米勒补偿通路模块的第一端相连，所述第二级放大电路的输出端、功率管的栅极和米勒补偿通路模块的第二端相连，所述功率管的漏极与反馈模块的第一端相连，所述负载变化检测模块的输出端与逻辑控制单元的输入端连接，所述逻辑控制单元的输出端与米勒补偿通路模块的第三端连接，所述反馈模块的第二端、第一级放大电路的反相输入端和负载变化检测模块的输入端连接。本实用新型能够保证LDO稳压器全负载范围的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及芯片设计技术领域，尤其涉及一种LDO稳压芯片的频率补偿电路。

背景技术

传统的稳定电路结构简单，性能稳定，但是在降低了电路的静态电流后，即降低电路各支路的偏置电流后，电路各结点产生巨大的小信号交流阻抗。根据结点与极点的关联，环路产生较低的极点，大大衰减了稳定电路的环路带宽。

对于大电流负载的LDO稳压器，输出负载变化范围大，目前补偿方法中使用的固定的频率补偿难以保证全负载范围的稳定性。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种LDO稳压芯片的频率补偿电路，能够保证LDO稳压器全负载范围的稳定性。

本实用新型所采用的技术方案是：包括第一级放大电路、第二级放大电路、反馈模块、功率管、米勒补偿通路模块、负载变化检测模块和逻辑控制单元，所述第一级放大电路的输出端、第二级放大电路的输入端和米勒补偿通路模块的第一端相连，所述第二级放大电路的输出端、功率管的栅极和米勒补偿通路模块的第二端相连，所述功率管的漏极与反馈模块的第一端相连，所述负载变化检测模块的输出端与逻辑控制单元的输入端连接，所述逻辑控制单元的输出端与米勒补偿通路模块的第三端连接，所述反馈模块的第二端、第一级放大电路的反相输入端和负载变化检测模块的输入端连接。

可选的，所述米勒补偿通路模块包括多条支路，各支路上均设有电阻、电容和开关管，各支路电阻的第一端均与第二级放大电路的输入端连接，所述电阻的第二端与电容的第一端连接，所述电容的第二端与开关管的第一端连接，所述开关管的第二端、第二级放大电路的输出端和功率管的栅极相连。

可选的，所述反馈模块包括第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述第一反馈电阻的第一端与功率管的漏极连接，所述第一反馈电阻的第二端、第二反馈电阻的第一端、负载变化检测模块的第一端和第一级放大电路的反相输入端连接，所述第二反馈电阻的第二端接地。

可选的，所述开关管采用N型MOS管，所述逻辑控制单元的输出端与N型MOS管的栅极连接，所述N型MOS管的源极与米勒补偿通路模块的电容的第二端连接，所述N型MOS管的漏极、第二级放大电路的输出端和功率管的栅极相连。

可选的，所述负载变化检测模块，包括电压比较器、计数器，所述电压比较器的同相输入端、第一反馈电阻的第二端、第二反馈电阻的第一端和第一级放大电路的反相输入端连接，所述电压比较器的输出端与计数器的输入端连接，所述计数器的输出端与逻辑控制单元的输入端连接。

可选的，所述第一级放大电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管，所述第一晶体管为P型MOS管，所述第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管为N型MOS管，所述第一晶体管的源极接电源，所述第一晶体管的栅极与第二级放大电路连接，所述第一晶体管的漏极、第二晶体管的源极和第三晶体管的源极相连，所述第二晶体管的栅极、第一反馈电阻的第二端和电压比较器的同相输入端相连，所述第二晶体管的漏极、第四晶体管的栅极和第四晶体管的漏极相连，所述第三晶体管的漏极、第五晶体管的漏极和第二级放大电路相连，所述第四晶体管的源极与第五晶体管的源极均接地。