[实用新型]一种低介电无硅相变导热片

说明书

本实用新型公开了一种低介电无硅相变导热片，涉及电子领域，包括氮化硼陶瓷片，所述氮化硼陶瓷片的两侧设置有胶水层，各个所述胶水层远离氮化硼陶瓷片的一侧设置有无硅相变导热片。本申请中含有氮化硼陶瓷片，使得本申请的导热性高、介电常数低、绝缘性能好，同时本申请中无硅氧烷挥发、无硅油析出，且具有相变导热功能。

技术领域

本实用新型涉及电子领域，特别涉及一种低介电无硅相变导热片。

背景技术

传统的无硅导热垫片及导热硅胶片的介电常数较高，且没有相变潜热储能功能。此外导热硅胶片有硅氧烷挥发或硅油析出，硅油析出可能污染电子元器件及造成电子元器件短路。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是提供一种无硅氧烷挥发、无硅油析出、低介电常数，且具有导热、相变潜热储能功能、绝缘性佳的低介电无硅相变导热片。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种低介电无硅相变导热片，包括氮化硼陶瓷片，所述氮化硼陶瓷片的两侧设置有胶水层，各个所述胶水层远离氮化硼陶瓷片的一侧设置有无硅相变导热片。

进一步的是：所述氮化硼陶瓷片的厚度为0.1-6mm。

进一步的是：所述胶水层的厚度为0.003-0.050mm。

进一步的是：所述低介电无硅相变导热片的总厚度为0.3-16mm。

本实用新型的有益效果是：本申请中含有氮化硼陶瓷片，使得本申请的导热性高、介电常数低、绝缘性能好，同时本申请中无硅氧烷挥发、无硅油析出，且具有相变导热功能。

附图说明

图1为一种低介电无硅相变导热片的整体结构示意图；

图中标记为：1、氮化硼陶瓷片；2、胶水层；3、无硅相变导热片。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

如图1所示，本申请的实施例提供了一种低介电无硅相变导热片，该低介电无硅相变导热片包括氮化硼陶瓷片1，所述氮化硼陶瓷片1的两侧设置有胶水层2，各个所述胶水层2远离氮化硼陶瓷片1的一侧设置有无硅相变导热片3，所述氮化硼陶瓷片1具有高导热、低介电常数、绝缘性能好的特点，使得本低介电无硅相变导热片的介电常数低、绝缘性能好，且具有高导热的特点，所述胶水层2用于将氮化硼陶瓷片1和无硅相变导热片3复合在一起，所述无硅相变导热片3具有压缩减震效果。

在上述基础上，所述氮化硼陶瓷片1的厚度为0.1-6mm，所述氮化硼陶瓷片1的厚度可以是0.1mm、3mm或6mm。

在上述基础上，所述胶水层2的厚度为0.003-0.050mm，所述胶水层2的厚度不能太厚，太厚会影响产品的导热效果，所述胶水层2的厚度可以是0.003mm、0.025mm或0.050mm。

在上述基础上，所述低介电无硅相变导热片的总厚度为0.3-16mm，所述低介电无硅相变导热片的总厚度可以是0.3mm、8mm或16mm。

实施例一：

所述氮化硼陶瓷片1的厚度为0.1mm，所述胶水层2的厚度为0.003mm，所述无硅相变导热片3的厚度为0.097mm。

实施例二：

所述氮化硼陶瓷片1的厚度为6mm，所述胶水层2的厚度为0.05mm，所述无硅相变导热片3的厚度为4.95mm。

以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。