[实用新型]MEMS器件

说明书

本实用新型公开了MEMS器件，属于传感器技术领域，包括：支撑结构、位于支撑结构上的器件结构和位于器件结构上的盖顶结构；在器件结构和盖顶结构中设置至少两个腔体；至少一个腔体包括气孔，腔体通过气孔与外界连通；气孔位于盖顶结构中。本实用新型的MEMS器件，通过设置气孔，气孔位于盖顶结构，便于后续对盖顶结构进行减薄，改变气孔的深度。MEMS器件中一个腔体真空度为初始真空度；另一个腔体的真空度为将该腔体开孔后，再进行重密封开孔后环境的真空度，使得MEMS器件的真空度发生改变。

技术领域

本实用新型涉及移动通信技术领域，尤其涉及MEMS器件。

背景技术

MEMS(Microelectromechanical System，微机电系统)惯性传感器中的加速度传感器和陀螺仪器件正常工作时对环境的真空度的要求是不同的，陀螺仪要求高Q值因此采用真空封装，而加速度计采用低压封装。

单独的三轴加速度计和三轴陀螺仪不利于集成，为了提高集成度，对于具备不同真空度的单个MEMS传感器的需求也应运而生。

同时，传统的系统级封装(SIP，System In a Package)不利于提高集成度，需要更好的封装形式来减小芯片体积。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型的目的在于提供MEMS器件，使得气孔位于盖顶结构中，便于改变气孔的深度。

技术方案：为实现上述实用新型目的，本实用新型的MEMS器件，包括：支撑结构、位于所述支撑结构上的器件结构和位于所述器件结构上的盖顶结构；

在所述器件结构和盖顶结构中设置至少两个腔体；

至少一个所述腔体包括气孔，所述腔体通过所述气孔与外界连通；

所述气孔位于所述盖顶结构中。

在一些实施例中，至少一个所述腔体的真空度为所述气孔密封时外界的真空度。通过设置不同真空度的腔体，实现至少两种真空度的MEMS器件。

在一些实施例中，在所述气孔中设置膜层或者硅，所述气孔通过所述膜层或所述硅密封。

在一些实施例中，所述气孔包括相互连通的第一开孔和第二开孔。所述第一开孔和第二开孔通过至少两次开孔形成。通过设置第一开孔和第二开孔，采用至少两次开孔的方式形成所述第一开孔和第二开孔，可以分别设置不同的孔径和孔的深度，实现不同的工艺需求。

在一些实施例中，所述第一开孔的孔径等于或者大于所述第二开孔的孔径。所述第一开孔的孔径等于所述第二开孔的孔径，此时至少两次开孔形成第一开孔和第二开孔，分次形成便于控制和满足工艺需求；或者，所述第一开孔的孔径大于所述第二开孔的孔径，进一步实现较大孔径和深度刻蚀。

在一些实施例中，所述第一开孔的深度与所述第二开孔的深度之和等于所述气孔的深度。在一些实施例中，所述第一开孔和所述第二开孔接触并贯通形成所述气孔，所述气孔的深度等于所述第一开孔的深度与所述第二开孔的深度之和。

在一些实施例中，减薄后所述盖顶结构对应位置处的厚度为100-200微米，所述第一开孔孔径为1-10微米，所述第二开孔孔径为几十微米以上。

在一些实施例中，所述盖顶结构采用减薄机减薄。所述盖顶减薄后，在减薄位置处设置气孔。

在一些实施例中，所述盖顶结构包括位于所述腔体外侧的第一表面和位于所述腔体内侧第二表面，所述气孔包括：

贯穿所述第二表面的第一开孔和贯穿所述第一表面的第二开孔；

或者，

贯穿所述第二表面的第二开孔和贯穿所述第一表面的第一开孔。