[实用新型]一种谐振器和滤波器

说明书

本实用新型公开了一种谐振器和滤波器，谐振器包括：衬底；多个布拉格反射支撑柱，在所述衬底的第一表面间隔分布；底电极，位于所述布拉格反射支撑柱远离所述衬底的一侧；压电层，位于所述底电极远离所述衬底的一侧；顶电极，位于所述压电层远离所述底电极的一侧。本实用新型实施例提供的谐振器和滤波器，在保证牢固性的同时减少能量泄露，提高Q值。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种谐振器和滤波器。

背景技术

谐振器就是指产生谐振频率的电子元件，具有稳定，抗干扰性能良好的特点，广泛应用于各种电子产品中，如滤波器中。

常见的谐振器如体声波谐振器通常包括衬底、声反射结构、底电极、压电层和顶电极，其中，声反射结构、底电极、压电层和顶电极在衬底上的垂直投影重叠的部分称之为谐振区，根据声反射结构的不同，体声波谐振器可分为FBAR(Film Bulk AcousticResonator，薄膜体声波谐振器)和SMR(Solidly Mounted Resonator，固态装配型谐振器)。

FBAR的Q值要高于SMR，但结构牢固性不如SMR，能量泄漏也较大。

实用新型内容

本实用新型实施例提供的谐振器和滤波器，在保证牢固性的同时减少能量泄露，提高Q值。

根据本实用新型的一方面，提供了一种谐振器，该谐振器包括：

衬底；

多个布拉格反射支撑柱，在所述衬底的第一表面间隔分布；

底电极，位于所述布拉格反射支撑柱远离所述衬底的一侧；

压电层，位于所述底电极远离所述衬底的一侧；

顶电极，位于所述压电层远离所述底电极的一侧。

可选的，所述衬底的第一表面包括凹槽；

所述布拉格反射支撑柱位于所述凹槽内；

所述布拉格反射支撑柱的厚度与所述凹槽的深度相同。

可选的，本实施例提供的谐振器还包括环状布拉格支撑层；

所述环状布拉格支撑层位于谐振区的边缘且环绕所述布拉格反射支撑柱；

所述环状布拉格支撑层的厚度与所述布拉格反射支撑柱的厚度相同；

所述环状布拉格支撑层的膜层结构与所述布拉格反射支撑柱的膜层结构相同。

可选的，本实施例提供的谐振器还包括保护层；

所述保护层覆盖所述布拉格反射支撑柱。

可选的，所述保护层的厚度范围包括0.2μm～1μm。

可选的，还包括温度补偿层；

所述温度补偿层位于所述布拉格反射支撑柱临近所述衬底的一侧或临近所述底电极的一侧。

可选的，所述布拉格反射支撑柱在所述衬底上的垂直投影的形状包括圆形、椭圆形、月牙形和多边形中的任意一种，或者圆形、椭圆形、月牙形和多边形中的至少两种组合。

可选的，所述布拉格反射支撑柱的厚度大于1.5μm。

可选的，所述布拉格反射支撑柱均匀分布在所述衬底的第一表面上。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种滤波器，该滤波器包括本实用新型任意实施例提供的所述谐振器。