[实用新型]一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路

权利要求书

1.一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，其特征在于，包括协议芯片U1，变压器T，与开关控制电路连接的电压检测电路，均与变压器T和开关控制电路连接的第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路，以及分别与第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路连接的开关控制电路；所述协议芯片U1与变压器T连接；所述变压器T由PN绕组和双绕组输出的NS绕组组成，所述第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路分别与变压器T的PN绕组连接；所述协议芯片U1与变压器T由PN绕组连接；所述变压器T的PN绕组的1～3脚为初级绕组，该PN绕组的初级绕组匝数为60匝；NS绕组为输出次级绕组，该NS绕组的匝数为10匝，其中，NS绕组的6～8脚为其中一个绕组输出，6～10为另一绕组输出；所述协议芯片U1与变压器T的PN绕组的1脚和3脚连接；

所述第一储能滤波整流电路包括二极管D1，正极与二极管D1的N极连接、负极与变压器T的NS绕组的6脚连接后接地的电容C1；所述二极管D1的P极与变压器T的NS绕组的8脚连接，该二极管D1的N极与开关控制电路和电压检测电路连接；

所述第二储能滤波整流电路包括二极管D2，正极与二极管D2的N极连接、负极与变压器T的NS绕组的6脚连接后接地的电容C2；所述二极管D2的P极与变压器T的NS绕组的10脚连接，该二极管D2的N极与开关控制电路连接。

2.根据权利要求1所述的兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，其特征在于，所述开关控制电路包括场效应晶体管MOS1，三端可调分流器U2，一端与场效应晶体管MOS1的源极连接、另一端与场效应晶体管MOS1的栅极连接的电阻R1，以及一端与三端可调分流器U2的阴极连接、另一端与场效应晶体管MOS1的栅极连接的电阻R2；所述三端可调分流器U2的阳极与电容C2的负极连接、参考极与电压检测电路连接；所述场效应晶体管MOS1的源极与二极管D2的N极连接，该场效应晶体管MOS1的漏极分别与二极管D1的N极和电压检测电路连接；所述电容C1的负极与三端可调分流器U2的阳极连接。

3.根据权利要求2所述的兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，其特征在于，所述电压检测电路包括电阻R3和电阻R4，所述电阻R3的一端与场效应晶体管MOS1的漏极连接、另一端与三端可调分流器U2的参考极连接；所述电阻R4的一端与三端可调分流器U2的参考极连接、另一端与三端可调分流器U2的阳极连接。

4.根据权利要求1～3任一项所述的兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，其特征在于，所述变压器T的PN绕组的1脚上设置有电容C3，该电容C3的正极与变压器T的PN绕组的1脚连接、负极接地。

5.根据权利要求4所述的兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，其特征在于，所述变压器T的PN绕组的3脚与协议芯片U1之间设置有场效应晶体管MOS2，该场效应晶体管MOS2的栅极与协议芯片U1的PWM管脚连接、漏极与变压器T的PN绕组的3脚连接、源极与协议芯片U1的CS管脚连接。

6.根据权利要求5所述的兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，其特征在于，所述场效应晶体管MOS2的源极上还设置有电阻R4，该电阻R4的一端与场效应晶体管MOS2的源极连接、另一端与协议芯片U1的GND管脚连接后接地。

7.根据权利要求6所述的兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，其特征在于，所述协议芯片U1为DK065G芯片。