[实用新型]一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路有效

专利信息
申请号: 202220881190.2 申请日: 2022-04-14
公开(公告)号: CN217335177U 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 庞继浩;黄应宏;朱锡辉;高琼瑶;杨昌盛 申请(专利权)人: 东科半导体(安徽)股份有限公司
主分类号: H02J7/10 分类号: H02J7/10;H02M1/12;H02M1/14;H02M5/10;H02M7/217
代理公司: 成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙) 51251 代理人: 饶振浪
地址: 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 兼容 vooc 电流 pd 高压 充电
【说明书】:

实用新型公开了一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路,特征在于,包括协议芯片U1,变压器T,电压检测电路,第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路,以及开关控制电路,所述变压器T由PN绕组和双绕组输出的NS绕组组成。本实用新型通过设置的第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路、开关控制电路与双绕组输出的变压器相配合,能在不改变额定功率的情况下实现VOOC大电流、PD高压小电流两种协议的输出兼容,从而本实用新型能很好的解决现有充电电路在一个额定的功率下的VOOC大电流、PD高压小电流两种协议的不能兼容的问题。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域,具体涉及一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路。

背景技术

随着,手机和电脑的电子产品的兴起,与其配套的充电器的需求也再不断的增大。而不同的电子产品的通信协议的选择也各有各自的特色,这对充电器的充电电路的兼容性便提出了更高的要求。然而,现有的额定功率充电器的充电电路存在VOOC选择和PD协议选择难以兼容的问题,以65W的充电器为例,VOOC选择的是大电流路线10V6.5A,PD协议选择20V3.25A,要实现这两种选择的兼容,电流要做到6.5A,电压要做到20V,充电器的功率需增加到20V*6.5A=130W,这极大的增加了充电器的功率和成本。

因此,为了降低电子产品和充电器的使用和生产成本,需要开发一种能够再不改变功率的情况下,可实现VOOC大电流、PD高压小电流两种协议兼容的充电电路,以降低电子产品和充电器的使用和生产成本,便是当务之急。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有的平板变压器存在上述的缺陷,提供一种在一个额定功率下能实现VOOC大电流、PD高压小电流两种协议的兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现:一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路,包括协议芯片U1,变压器T,与开关控制电路连接的电压检测电路,均与变压器T和开关控制电路连接的第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路,以及分别与第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路连接的开关控制电路;所述协议芯片U1与变压器T连接;所述变压器T由PN绕组和双绕组输出的NS绕组组成,所述第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路分别与变压器T的PN绕组连接;所述协议芯片U1与变压器T由PN绕组连接。

进一步的,所述变压器T的PN绕组的1~3脚为初级绕组,该PN绕组的初级绕组匝数为60匝;NS绕组为输出次级绕组,该NS绕组的匝数为10匝,其中,NS绕组的6~8脚为其中一个绕组输出,6~10为另一绕组输出;所述协议芯片U1与变压器T的PN绕组的1脚和3脚连接。

所述第一储能滤波整流电路包括二极管D1,正极与二极管D1的N极连接、负极与变压器T的NS绕组的6脚连接后接地的电容C1;所述二极管D1的P极与变压器T的NS绕组的8脚连接,该二极管D1的N极与开关控制电路和电压检测电路连接。

所述第二储能滤波整流电路包括二极管D2,正极与二极管D2的N极连接、负极与变压器T的NS绕组的6脚连接后接地的电容C2;所述二极管D2的P极与变压器T的NS绕组的10脚连接,该二极管D2的N极与开关控制电路连接。

再进一步的,所述开关控制电路包括场效应晶体管MOS1,三端可调分流器U2,一端与场效应晶体管MOS1的源极连接、另一端与场效应晶体管MOS1的栅极连接的电阻R1,以及一端与三端可调分流器U2的阴极连接、另一端与场效应晶体管MOS1的栅极连接的电阻R2;所述三端可调分流器U2的阳极与电容C2的负极连接、参考极与电压检测电路连接;所述场效应晶体管MOS1的源极与二极管D2的N极连接,该场效应晶体管MOS1的漏极分别与二极管D1的N极和电压检测电路连接;所述电容C1的负极与三端可调分流器U2的阳极连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东科半导体(安徽)股份有限公司,未经东科半导体(安徽)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202220881190.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top